| yangpaopao | 2018-11-01 16:46 |
看懂光刻機：光刻工藝流程詳解 芯片制造核心工藝主要設(shè)備全景圖 光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟，耗時長、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點和關(guān)鍵點在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上，這一過程通過光刻來實現(xiàn)， 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生產(chǎn)中需要進行 20-30 次的光刻，耗時占到 IC 生產(chǎn)環(huán)節(jié)的 50%左右，占芯片生產(chǎn)成本的 1/3。 光刻工藝流程詳解 光刻的原理是在硅片表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過掩模照射在硅片表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng)。此后用特定溶劑洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了電路圖從掩模到硅片的轉(zhuǎn)移。 光刻完成后對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，最后洗去剩余光刻膠， 就實現(xiàn)了半導(dǎo)體器件在硅片表面的構(gòu)建過程。 光刻分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會硬化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。  在硅片表面構(gòu)建半導(dǎo)體器件的過程 | |