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ttb2016

2019-02-11 11:54

半導體激光器的結構和工作原理分析

現(xiàn)以砷化鎵(GaAs)激光器為例，介紹注入式同質結激光器的工作原理。

　　1.注入式同質結激光器的振蕩原理

　　由于半導體材料本身具有特殊晶體結構和電子結構，故形成激光的機理有其特殊性。

　　(1)半導體的能帶結構。半導體材料多是晶體結構。當大量原子規(guī)則而緊密地結合成晶體時，晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶(對應較低能量)。與價帶最近的高能帶稱導帶，能帶之間的空域稱為禁帶。當加外電場時，價帶中電子躍遷到導帶中去，在導帶中可以自由運動而起導電作用。同時，價帶中失掉一個電子，則相當于出現(xiàn)一個帶正電的空穴，這種空穴在外電場的作用下，也能起導電作用。因此，價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用，統(tǒng)稱為載流子。