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光行天下 -> 光學(xué)薄膜設(shè)計(jì),工藝與設(shè)備 -> PC基材上鍍ITO和AR膜,出現(xiàn)ITO和AR膜裂 [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本] [打印本頁(yè)]

jimmy_ 2020-12-23 14:04

PC基材上鍍ITO和AR膜,出現(xiàn)ITO和AR膜裂

PC基底硬化后進(jìn)行冷鍍ITO和AR膜,905nm增透,后工序100℃烘烤2h后ITO和AR(SiO2和TiO2)膜均出現(xiàn)了開裂。 ^=-25%&^  
請(qǐng)教下各位大佬,如何進(jìn)行工藝改善?
jimmy_ 2020-12-26 11:47
路過(guò)的大佬請(qǐng)指導(dǎo)一下,謝謝
ouyuu 2021-01-16 01:03
你設(shè)備有鹵素?zé)艏訜釂幔縋C鍍膜最好用鹵素?zé)艏訜?
ouyuu 2021-01-16 17:25
膜裂原因有很多。 NA@Z$Gy  
有些是溫度的影響,有些是吸水的影響。 #]i^L;u1A  
mg70%=qM0f  
PC上鍍膜最好鍍一個(gè)打底層,如SIO2或者AL2O3打底,對(duì)膜裂會(huì)有很大的改善。 2|exY>`w  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜,也會(huì)對(duì)吸水造成的膜裂會(huì)有改善。 /P[u vO  
但是離子源會(huì)造成溫度升高,所以要注意條件。 4>Ht_B<<  
Gl{2"!mt=  
實(shí)驗(yàn)要多做,各種條件都做一下。 #+" D?  
具體情況具體分析,有時(shí)候設(shè)備不好也會(huì)造成問題的。 FR50y+h^$  
并不是所有問題都可以用工藝解決的。
jimmy_ 2021-01-26 17:38
ouyuu:膜裂原因有很多。 JGhK8E  
有些是溫度的影響,有些是吸水的影響。 FhEfW7]0,  
PC上鍍膜最好鍍一個(gè)打底層,如SIO2或者AL2O3打底,對(duì)膜裂會(huì)有很大的改善。 ~-yq,x  
另外如果可以的話用離子源輔助鍍膜,也會(huì)對(duì)吸水造成的膜裂會(huì)有改善。 33"!K>wC  
....... (2021-01-16 17:25)  Zwtz )ZII  
@%MGLR{pH  
多謝專家的指導(dǎo),我們?cè)衮?yàn)證一下! .q 4FGPWz  
另外請(qǐng)問專家有沒有硬化液推薦的,PC硬化后再鍍膜的方案我們也想驗(yàn)證一下。 gZz5P>^  
謝謝!
zhongjiagang 2021-02-08 09:19
PC鍍膜的要注意以下幾點(diǎn): k1D|Cpnp  
1. 打底層最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; &6\E'bBt  
2. 機(jī)器不要加熱,離子源的能量要設(shè)計(jì)成一個(gè)漸變的過(guò)程,一般我的經(jīng)驗(yàn)是:前2層的離子源能量是后面層的80%; R C!~eJG!  
3. 如果機(jī)器有2次電子捕捉器一定要裝上,并且每爐清潔; ,}^;q58  
4. 整個(gè)鍍膜后的溫度控制在70~80℃。
chenenlin 2021-03-15 22:48
zhongjiagang:PC鍍膜的要注意以下幾點(diǎn): l.SoiFDd  
1. 打底層最好用TiO2,厚度要>10nm,不要用SiO2和Al2O3打底,效果不好,百格易NG; mw${3j~&  
2. 機(jī)器不要加熱,離子源的能量要設(shè)計(jì)成一個(gè)漸變的過(guò)程,一般我的經(jīng)驗(yàn)是:前2層的離子源能量是后面層的80%; _s0;mvz'  
3. 如果機(jī)器有2次電子捕捉器一定要裝上,并且每爐清潔; Y c>.P  
4 .. (2021-02-08 09:19)  kK]L(ZU +  
>Cglhsb:N  
經(jīng)典回復(fù)  }}d,xI  
]RI+:f  
補(bǔ)充一個(gè),就是材料本身,我驗(yàn)證了很多PC材料,和材料也是有關(guān)系的!
sosjinyan 2021-03-26 16:21
ITO 膜  能用電子槍鍍膜嗎?  看資料是 磁控濺射鍍膜
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