| infotek | 2021-04-16 10:38 |
光柵起偏器的參數(shù)優(yōu)化這個(gè)案例說(shuō)明了對(duì)于一個(gè)用于VIS光起偏的亞波長(zhǎng)光柵的參數(shù)優(yōu)化過(guò)程。 關(guān)鍵詞：參數(shù)優(yōu)化，光柵，起偏器，亞波長(zhǎng) 所需工具箱：高級(jí)光柵工具箱 相關(guān)案例：100.01,101.01 相關(guān)教程和技術(shù)說(shuō)明：Tutorial 101.01, TN.021 建模任務(wù)： 平面波入射周期為200nm的鍍鉻線性矩形光柵，基底為融石英，產(chǎn)生TE模的起偏。  優(yōu)化目標(biāo)： —TE模偏振光的透過(guò)率最大化 —TM模偏振光的透過(guò)率最小化 優(yōu)化函數(shù)： —最小化TE的透過(guò)率 —最小化偏振度（要求＞50:1）  —使用力優(yōu)先級(jí)使TE透過(guò)率的均勻誤差最小化  優(yōu)化的自由變量為： —縫寬：10—190mm —光柵深度：20—200nm 優(yōu)化算法： —使用Parameter run 進(jìn)行一個(gè)全波長(zhǎng)的全局搜索使得TE透過(guò)率的最大值最小同時(shí)使得偏振對(duì)比度的最大值最低。全局搜索不是強(qiáng)制的，但是它幫助確定在幾個(gè)最大值和最小值之間確定優(yōu)化參數(shù)的起始點(diǎn)。 —參數(shù)優(yōu)化使用下山簡(jiǎn)法（局部?jī)?yōu)化）和模擬退火法（全局優(yōu)化）。參數(shù)優(yōu)化使得找到在偏振對(duì)比度和TE透過(guò)率之間的一種平衡。 光路流程圖和偏振分析器： 偏振光柵的光路流程圖存儲(chǔ)在文件“Scenario_315.01_Optimization_of_Grating_Polarizer_01”中。 對(duì)于給定的波長(zhǎng)范圍，偏振分析器被用來(lái)計(jì)算相關(guān)偏振方向的最大和最小值。并可以計(jì)算 和 的反射或透射的最大和最小值。像偏振對(duì)比度這樣高級(jí)的優(yōu)化函數(shù)也可以被計(jì)算出來(lái)。 Parameter Run 的全局搜索： Parameter Run文件存儲(chǔ)在“Scenario_315.01_Optimization_of_Grating_Polarizer_02”中。 Parameter Run 設(shè)置 縫寬：10—19nm 步長(zhǎng)10nm； 規(guī)劃深度：20——200nm 步長(zhǎng)10nm； 使用掃描模塊進(jìn)行所有參數(shù)的整合研究。 在自由參數(shù)模塊中選擇深度和縫寬。 使用掃描模塊進(jìn)行參數(shù)聯(lián)合調(diào)查。   左圖顯示了最小化TE透過(guò)率，右圖顯示了最小化偏振對(duì)比度。 TE透過(guò)率和偏振對(duì)比度對(duì)于不同參數(shù)設(shè)置已經(jīng)達(dá)到了最大化。 參數(shù)構(gòu)成： 縫寬50nm，規(guī)劃深度200nm；最小TE透過(guò)率72.7%；最小偏振對(duì)比度62；TE透過(guò)率均勻誤差7%；  局部參數(shù)優(yōu)化： 使用局部參數(shù)優(yōu)化的參數(shù)優(yōu)化文件存儲(chǔ)在“Scenario_315.01_Optimization_of_Grating_Polarizer_03”中。 起始值為：縫寬：50nm，規(guī)劃深度200nm； 參數(shù)和優(yōu)化函數(shù)被嚴(yán)格定義，以便在TE透過(guò)率，偏振對(duì)比度和TE透過(guò)率均勻誤差之間找到平衡。 | |