无码日韩精品一区二区免费_极品尤物一区二区三区_国产在线乱码一区二三区_内射女校花一区二区三区


首頁 -> 登錄 -> 注冊 -> 回復(fù)主題 -> 發(fā)表主題
光行天下 -> 光學(xué)薄膜設(shè)計,工藝與設(shè)備 -> 光學(xué)薄膜產(chǎn)生吸收損耗的主要因素 [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本] [打印本頁]

wavelab86 2024-02-04 15:27

光學(xué)薄膜產(chǎn)生吸收損耗的主要因素

氧化物光學(xué)薄膜材料的應(yīng)用波段從紫外到中紅外,其吸收機(jī)制主要考慮電子躍遷吸收、吸收邊緣、雜質(zhì)和缺陷吸收、晶體振動吸收。 `IL''eJug_  
*\ZK(/V  
薄膜的吸收包括源材料雜質(zhì)吸收、材料本征吸收和鍍膜過程引入的吸收。由于目前鍍膜源材料都有很高的純度,源材料雜質(zhì)的吸收相對很小,可以忽略。 Sxo9y0K8-  
-wJ/j~ +m+  
又因為光學(xué)薄膜應(yīng)用的波段一般是遠(yuǎn)離材料的電子躍遷或晶格振動區(qū),本征吸收相對于鍍膜工藝產(chǎn)生的吸收損耗一般來說要小得多,因此不作重點(diǎn)研究,光學(xué)薄膜產(chǎn)生吸收損耗的主要機(jī)制有以下幾個因素! 7@iyO7U  
 d(!W  
1.薄膜材料成份非化學(xué)計量比。真空物理氣相沉積光學(xué)薄膜一般采用熱蒸發(fā)、濺射等方式將鍍膜材料轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀嗪笤诠鈱W(xué)基片上沉積形成薄膜。薄膜氣相沉積易于形成非化學(xué)計量比的化合物膜層。各種鍍膜方式都可能使待鍍膜的化合物材料分解導(dǎo)致形成非化學(xué)計量比的化合物膜層。例如,蒸發(fā)或濺射TiO薄膜,薄膜很容易失氧而在基片上生成TOx,并不是希望得到的TO2薄膜,這種薄膜在使用的波段可能產(chǎn)生很大的吸收損耗,因此人們一般在薄膜沉積過程中在真空中充入氧氣來氧化TOx薄膜得到TO2薄膜。 kH:! 7L_=  
M{M>$pt   
2.薄膜中吸附的其它材料。在真空中鍍制的薄膜大多是柱狀結(jié)構(gòu),一般來說,薄膜的密度小,表面積大。因此薄膜放置在大氣環(huán)境下,可能會吸附大氣中的水汽和其它氣體成分,這些水汽和其它氣體成分可能增加薄膜的吸收損耗。 80=6B  
], Xva`"  
3.薄膜中的吸收缺陷。薄膜從氣相到固相的生長是一個非平衡過程,從結(jié)構(gòu)方面看必然會保留大量的缺陷。而且缺陷比塊體材料中多得多,往往含有更多的孔洞,纖維組織,層錯,位錯等,這些缺陷對薄膜性能有重要影響。薄膜中的缺陷可分為宏觀缺陷和微觀缺陷,宏觀缺陷指孔洞,結(jié)瘤等尺寸大于微米量級的缺陷,一般在光學(xué)顯微鏡下能夠觀測到。微觀缺陷指薄膜的原子或分子量級的缺陷,一般不容易直接觀測到,需要通過其它方式間接表征,對薄膜吸收影響的主要是微觀缺陷。薄膜中的不同結(jié)構(gòu)的微觀缺陷對不同波段的光會產(chǎn)生吸收,因此需要分別研究和分析。 0RmQfD>  
yv1Z*wTpO  
4.表面和界面效應(yīng)。作為材料二維形態(tài)的薄膜,表面和界面所占比例很大,表面和界面原子弛豫,重排,斷鍵造成的薄膜的吸收損耗不容忽視。以上是薄膜產(chǎn)生吸收損耗的幾個主要因素,對于不同的薄膜材料和不同的鍍膜工藝參數(shù),影響吸收損耗的主要因素不一樣,需要具體分析薄膜產(chǎn)生吸收損耗的機(jī)制。
mcgraw 2024-03-25 09:31
很受用,謝謝
蒼氓一 2024-04-29 14:52
優(yōu)秀資料,加分!
哆啦 2024-04-30 14:55
優(yōu)秀資料,加分!
查看本帖完整版本: [-- 光學(xué)薄膜產(chǎn)生吸收損耗的主要因素 --] [-- top --]

Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP備06003254號-1 網(wǎng)站統(tǒng)計

波密县| 海林市| 三原县| 海晏县| 鄂伦春自治旗| 金溪县| 鄂托克前旗| 利川市| 库尔勒市| 汉源县| 江陵县| 杭州市| 晋宁县| 洮南市| 梅州市| 通渭县| 宜都市| 安乡县| 塔城市| 胶南市| 兖州市| 新疆| 湘潭县| 锡林浩特市| 达拉特旗| 大荔县| 花垣县| 鸡西市| 连江县| 石家庄市| 克拉玛依市| 探索| 大兴区| 玛多县| 阿拉善右旗| 张家界市| 乌海市| 城市| 济宁市| 繁峙县| 桓台县|