我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)在光通信高速互連技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展
人工智能大模型的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)迫切需要單通道100Gbps及更高傳輸速率的數(shù)據(jù)互聯(lián)技術(shù)。傳統(tǒng)的多模VCSEL+多模光纖技術(shù)，憑借低功耗和高性價(jià)比，已廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心和智算中心的短距離光互連，但其受限于激光器的色度色散和光纖中的模式色散，該方案存在信道的速率和傳輸距離的瓶頸問(wèn)題。相比之下，單橫模VCSEL與單模光纖的組合可以從根本上解決傳輸瓶頸問(wèn)題，是更高效且更具成本優(yōu)勢(shì)的傳輸方案。 ^,lIK+#Elz
近日，清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院和深圳博升光電科技有限公司常瑞華院士團(tuán)隊(duì)提出了一種基于啁啾高對(duì)比度超結(jié)構(gòu)（chirped HCM）的單橫模VCSEL設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)提出chirped HCM作為VCSEL的頂部反射鏡（圖1），通過(guò)在chirped HCM反射鏡中引入了橫向漸變的反射率，使其能夠與激光的基模強(qiáng)度分布更好地匹配，從而有效抑制高階模式，最終實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、穩(wěn)定的單橫模激光輸出。這一設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)多層分布式布拉格反射鏡（DBR）相比，不僅具備優(yōu)異性能，而且簡(jiǎn)化了制造工藝，非常適合量產(chǎn)。 \"w"$9 o6
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圖1.基于啁啾高對(duì)比度超結(jié)構(gòu)（chirped HCM）的單模VCSEL ;>U2|>5V
研究團(tuán)隊(duì)對(duì)加工完成的 chirped HCM VCSEL結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入的結(jié)構(gòu)分析（圖2）。芯片的掃描電鏡（SEM）圖像驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的可行性和工藝的均勻穩(wěn)定性。該技術(shù)后續(xù)將導(dǎo)入批量生產(chǎn)。 ,\W 8b-Z
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圖2.Chirped HCM VCSEL芯片的掃描電鏡（SEM）圖像 dK$XNi13.5
研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)的單模VCSEL在不同溫度和電流條件下展現(xiàn)出優(yōu)異的功率輸出特性和光譜穩(wěn)定性（圖3）。測(cè)試結(jié)果表明，該VCSEL在25°C、50°C和75°C的溫度范圍內(nèi)能夠保持穩(wěn)定的輸出功率，同時(shí)在光束模式方面表現(xiàn)出良好的模式控制能力。進(jìn)一步測(cè)試顯示，在2-8mA電流范圍和5-75°C的工作溫度下，其邊模抑制比（SMSR）始終高于40dB，充分體現(xiàn)了其在模式選擇性和穩(wěn)定性方面的顯著優(yōu)勢(shì)。這些特性使其能夠滿足短距離高速光互連應(yīng)用對(duì)輸出穩(wěn)定性的嚴(yán)格要求。 Hp|kQJ[L
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