新型激光技術有望大幅提升芯片制造效率

據(jù)國外媒體報道，美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室（LLNL）正在研發(fā)一種基于銩元素的拍瓦（petawatt）級激光技術，該技術有望取代當前極紫外光刻（EUV）工具中使用的二氧化碳激光器，并將光源效率提升約十倍。這一突破可能為新一代“超越 EUV”的光刻系統(tǒng)鋪平道路，從而以更快的速度和更低的能耗制造芯片。 %
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當前，EUV 光刻系統(tǒng)的能耗問題備受關注。以低數(shù)值孔徑（Low-NA）和高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV 光刻系統(tǒng)為例，其功耗分別高達 1,170 千瓦和 1,400 千瓦。這種高能耗主要源于 EUV 系統(tǒng)的工作原理：高能激光脈沖以每秒數(shù)萬次的頻率蒸發(fā)錫滴（50 萬攝氏度），以形成等離子體并發(fā)射 13.5 納米波長的光。這一過程不僅需要龐大的激光基礎設施和冷卻系統(tǒng)，還需要在真空環(huán)境中進行以避免 EUV 光被空氣吸收。此外，EUV 工具中的先進反射鏡只能反射部分 EUV 光，因此需要更強大的激光來提高產能。 k5/}S@F8