北京理工大學(xué)在集成光量子存儲芯片研究中取得突破

日前，北京理工大學(xué)物理學(xué)院張向東教授團(tuán)隊(duì)在片上集成光存儲器研究方面取得重要進(jìn)展。通過在硅-鉺摻雜晶體異質(zhì)材料上設(shè)計(jì)連續(xù)譜束縛態(tài)（Bound States in the Continuum, BIC）結(jié)構(gòu)，首次在芯片上實(shí)現(xiàn)了低損耗、高光-物質(zhì)耦合效率的量子存儲器，其相干時(shí)間與塊體晶體性能相當(dāng)。這一成果為大規(guī)模量子網(wǎng)絡(luò)的實(shí)用化奠定了技術(shù)基礎(chǔ)，相關(guān)工作發(fā)表在《Science Advances》上。北京理工大學(xué)為第一完成單位，物理學(xué)院博士研究生周湃為第一作者，陳宇輝與張向東教授為通訊作者。此外，張慧珍副教授、博士生李亭美以及中科院物理所張忠山主任工程師在樣品的制備和測量上做出了十分重要的貢獻(xiàn)。
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光學(xué)量子存儲器是量子通信與計(jì)算的核心組件，其性能直接影響量子網(wǎng)絡(luò)的擴(kuò)展能力，但其片上集成長期受限于材料體系的選擇。稀土摻雜晶體雖然在相干時(shí)間上具有十分突出的優(yōu)勢，十分適合用于制備量子存儲器，卻面臨難以規(guī)模化集成的挑戰(zhàn)。另一方面，傳統(tǒng)硅基光子器件雖兼容成熟工藝，但光場局域于硅材料內(nèi)部，難以高效和稀土離子發(fā)生相互作用。研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地將硅基材料的高集成度優(yōu)勢與稀土摻雜晶體的量子性能相結(jié)合，通過BIC效應(yīng)解決了光場局域與損耗的平衡難題。 NIzxSGk|  
研究者提出了一種新型硅-鉺摻雜晶體異質(zhì)結(jié)構(gòu)（圖1A），通過精準(zhǔn)調(diào)控BIC效應(yīng)（圖1B），實(shí)現(xiàn)了光場在芯片上的高效局域與低損耗傳輸。實(shí)驗(yàn)表明，該異質(zhì)結(jié)構(gòu)在1.5微米通信波段展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：光傳播損耗低至0.5 dB/cm，較傳統(tǒng)非晶硅波導(dǎo)降低約10倍；同時(shí)，45%的光場能量穿透至鉺摻雜晶體，使鉺離子光吸收效率提升20倍以上。利用實(shí)驗(yàn)室自主搭建的低溫光量子芯片測量系統(tǒng)（圖1C和D），實(shí)現(xiàn)了片上的光子回波存儲，并進(jìn)一步測量了芯片中鉺離子的光學(xué)相干時(shí)間達(dá)2.6微秒，與塊體材料性能一致。 Buv4&.Z}