突破傳統(tǒng)工藝對(duì)三維光電器件結(jié)構(gòu)自由度的限制
近日，蘇州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院李亮教授團(tuán)隊(duì)在《自然-材料》（Nature Materials）雜志上發(fā)表了題為“Direct integration of optoelectronic arrays with arbitrary nondevelopable structures”的研究論文。論文以蘇州大學(xué)為唯一通訊署名單位發(fā)表，第一作者為蘇州大學(xué)博士后王孟，通訊作者為李亮。 % \N52
具有不可拓展（Nondevelopable）幾何結(jié)構(gòu)的三維光電陣列，因其能夠有效擺脫傳統(tǒng)二維平面器件對(duì)復(fù)雜光學(xué)組件的依賴，在縮小光電系統(tǒng)體積、降低集成成本方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，因此在面向未來(lái)的新一代成像技術(shù)中具有極高的研究?jī)r(jià)值。然而，受限于傳統(tǒng)半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)主要面向平面基底的工藝特性，研究人員在三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)對(duì)光電陣列空間構(gòu)型的精確調(diào)控仍面臨巨大挑戰(zhàn)。目前，相關(guān)研究?jī)H能構(gòu)建少量規(guī)則的球面陣列結(jié)構(gòu)，嚴(yán)重制約了該類器件在功能多樣性與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景中的進(jìn)一步拓展。 wN}@%D-[v
[attachment=133116] [ {@0/5i
圖.（A） 單溶質(zhì)/溶液體系在曲面上的自組裝生長(zhǎng)示意圖；圖.（B）薄膜在復(fù)雜曲面結(jié)構(gòu)上的沉積及其形貌均勻性展示 X 0\O3l* j
圍繞這一關(guān)鍵瓶頸問(wèn)題，李亮研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地提出了一種基于單溶質(zhì)/溶液體系的快速結(jié)晶成膜策略（圖A）。該方法利用高密度成核機(jī)制，成功實(shí)現(xiàn)了在三維非規(guī)則結(jié)構(gòu)基底上的原位沉積高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜。該薄膜在不同空間位置均展現(xiàn)出高度均勻的微觀形貌和一致的厚度分布（圖B）。更重要的是，該薄膜生長(zhǎng)策略展現(xiàn)出廣泛的適應(yīng)性，適用于多種結(jié)構(gòu)類型與尺度的基底，其尺寸范圍從亞微米級(jí)延伸至分米級(jí)，跨越六個(gè)數(shù)量級(jí)。結(jié)合先進(jìn)的3D打印技術(shù)與功能層結(jié)構(gòu)的精確匹配設(shè)計(jì)，研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了對(duì)不可拓展結(jié)構(gòu)光電陣列在微米尺度上的空間構(gòu)型調(diào)控，并成功驗(yàn)證了其在光電成像過(guò)程中的像差校正能力（圖C）。這一成果不僅為復(fù)雜結(jié)構(gòu)基底上半導(dǎo)體薄膜的可控生長(zhǎng)提供了全新的解決方案，也為實(shí)現(xiàn)高集成度、高性能的新型光電成像系統(tǒng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 ZDn5d%
|