清華大學(xué):寬譜可調(diào)自由電子太赫茲輻射芯片
近日,清華大學(xué)電子工程系劉仿教授課題組報道了全片上集成的寬譜可調(diào)太赫茲切倫科夫輻射(Terahertz Cherenkov radiation)芯片,成功將太赫茲自由電子輻射器件的尺寸壓縮至百微米量級,并實現(xiàn)了寬至3.2-14 THz的連續(xù)電調(diào)諧范圍。該工作將無閾值切倫科夫輻射頻率拓展至太赫茲頻段,實現(xiàn)了兼顧片上集成和寬譜可調(diào)的自由電子太赫茲輻射源,為自由電子太赫茲輻射源的芯片化開辟了途徑。 =bgu2#%Z 切倫科夫輻射是一種當(dāng)帶電粒子運動速度大于介質(zhì)中的光速時產(chǎn)生的電磁輻射。2017年,課題組在《自然·光子學(xué)》(Nature Photonics)首次報道了無閾值(極低電子能量激發(fā)的)切倫科夫輻射。此后,多項理論和實驗研究了紫外至可見光波段無閾值切倫科夫輻射現(xiàn)象和器件,但直接實驗觀察無閾值切倫科夫輻射仍限于可見光-近紅外波段。本研究工作首次將無閾值切倫科夫輻射拓展到太赫茲頻段,觀測到自由電子在寬頻譜范圍產(chǎn)生的太赫茲無閾值切倫科夫輻射現(xiàn)象。 \LbBK ~l-I 太赫茲波是指頻率處于0.1-10THz頻段(微波和紅外光波之間)的電磁波,在通信、探測和遙感等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。自由電子太赫茲輻射源利用真空中飛行的自由電子產(chǎn)生太赫茲輻射,傳統(tǒng)裝置和器件包括自由電子激光和各類電真空管。由于其電子發(fā)射、強聚焦磁場、電磁波輻射等結(jié)構(gòu)較大,傳統(tǒng)自由電子太赫茲源尺寸從數(shù)十厘米至數(shù)十米量級。此外,由于真空器件結(jié)構(gòu)通常難以調(diào)節(jié),自由電子太赫茲源的調(diào)諧能力通常較弱。目前,仍未有兼顧小器件尺寸和寬譜連續(xù)調(diào)諧性的自由電子太赫茲輻射源報道。 nP5T*-~
[attachment=133195] x(r~<a[ 圖1.基于太赫茲雙曲超材料的片上可調(diào)切倫科夫太赫茲源結(jié)構(gòu)/原理示意圖和輻射芯片顯微鏡照片 IizPu4| 課題組利用石墨烯和六方氮化硼(hBN)材料構(gòu)建并制備了太赫茲頻段的雙曲超材料(其等頻率波矢圖為雙曲線),進一步在SiO2襯底上分別使用Mo和Au兩種材料制備平面自由電子發(fā)射結(jié)構(gòu)和切倫科夫輻射提取光柵結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了輻射區(qū)域面積僅為100μm×100μm的集成自由電子太赫茲輻射芯片。當(dāng)自由電子能量僅1.4-2.6keV時,觀測到功率為100nW、線寬~40GHz的太赫茲輻射,成功將無閾值切倫科夫輻射頻率拓展至太赫茲頻段。 Rv=rO|&]
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_]Jv k 圖2.太赫茲切倫科夫芯片頻率調(diào)諧原理示意圖及實驗測試結(jié)果
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