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光行天下 -> 光學(xué)薄膜設(shè)計(jì),工藝與設(shè)備 -> 在反應(yīng)濺射鋁的過(guò)程中的打弧問(wèn)題 [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本]

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余登峰	2011-11-27 13:43
在反應(yīng)濺射鋁的過(guò)程中的打弧問(wèn)題在反應(yīng)濺射鋁的過(guò)程中的打弧問(wèn)題，看到的共享一下。

zmfu77	2011-12-16 14:14
如果采用的是直流磁控濺射設(shè)備，應(yīng)該有以下幾個(gè)原因： Zqd&EOm 1、靶的兩端污染嚴(yán)重，導(dǎo)電性能差，積累大量電荷，造成對(duì)真空腔體放電打火。 v6oPAqj,r 2、靶表面污染或有氧化層 <?52Svi}} 3、靶的兩端有清微漏水、漏氣的情況