| chenchao |
2011-12-18 15:44 |
輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌的影響
輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌的影響摘要：基于雙極脈沖磁控濺射復合離子束輔助沉積的新工藝 ,在透明塑料聚碳酸酯基片上 ,常溫制備了透明導電的銦錫氧化物( ITO)薄膜。重點研究了不同輔助離子束功率密度對 ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。結(jié)果表明:當離子束功率密度從52 mW/ cm2逐漸增加到436 mW/ cm2 a,4GE'
時 ,薄膜逐漸從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槲⒕B(tài)、 直至長大為多晶態(tài) ,晶體呈現(xiàn)(222)擇優(yōu)取向;薄膜在非晶態(tài)時表面相對平坦 ,隨著晶粒的長大 ,表面均方根粗糙度 Rq增加 ,并在離子束功率密度為 436 mW/ cm2時最大。離子束功率密度進一步增大到680 mW/ cm2時 ,薄膜的晶體衍射峰強度變?nèi)酢?峰的半高寬變大 ,表明晶粒尺寸變小;薄膜表面均方根粗糙度下降。離子束功率密度為252 mW/ cm2, ITO薄膜具有最佳綜合光電性能. ,< P"\W
yR{rje*
關(guān)鍵詞：銦錫氧化物薄膜；室溫制備；離子束輔助磁控濺射；結(jié)構(gòu)與形貌；透明塑料襯底
|
|