| chenchao |
2011-12-18 15:51 |
矩形平面磁控濺射裝置薄膜沉積仿真
矩形平面磁控濺射裝置薄膜沉積仿真摘要：薄膜厚度沿矩形靶長(zhǎng)度方向分布的均勻度是衡量矩形平面磁控濺射裝置鍍膜質(zhì)量的重要指標(biāo)。為了分析氣壓和靶基板間距對(duì)該指標(biāo)的影響 ,本文采用Monte Carlo方法 ,在假設(shè)靶材沿跑道均勻刻蝕的前提下 ,對(duì)靶材原子沉積過程進(jìn)行了計(jì)算機(jī)仿真。模型假設(shè)靶材原子出射能量滿足 Thompson分布 ,出射角度以余弦定律處理;假設(shè)背景氣體速度為麥克斯韋分布 ,并采用舍選法對(duì)各個(gè)速度分量進(jìn)行了抽樣;應(yīng)用可變硬球模型對(duì)碰撞過程進(jìn)行了處理。通過仿真發(fā)現(xiàn) ,隨著氣壓增大 ,盡管薄膜的均勻度越好 ,但是靶材原子到達(dá)基板的能量會(huì)降低;而靶與基板間距越大 ,薄膜的均勻度和靶材原子到達(dá)基板的能量都會(huì)降低。另外 ,通過對(duì)矩形靶端部磁場(chǎng)改進(jìn) ,可以削弱靶材的反常刻蝕現(xiàn)象 ,在提高靶材利用率的同時(shí) ,可以有效提高薄膜均勻度。 .Ep3~9TBW
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關(guān)鍵詞：磁控濺射；刻蝕；沉積；仿真
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