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cyqdesign

2017-05-03 19:33

突破半導(dǎo)體工藝極限：美國(guó)科研人員實(shí)現(xiàn)1nm制程工藝

Intel、TSMC及三星三大半導(dǎo)體工廠今年將量產(chǎn)10nm工藝，他們中進(jìn)度快的甚至準(zhǔn)備在明年上馬7nm工藝，2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級(jí)，半導(dǎo)體工藝也越來(lái)越逼近極限了，制造難度越來(lái)越大，5nm之后的工藝到現(xiàn)在為止都沒有明確的結(jié)論，晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點(diǎn)上，美國(guó)又走在了前列，美國(guó)布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布實(shí)現(xiàn)了1nm工藝制造。

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來(lái)自EETimes的報(bào)道稱，美國(guó)能源部（DOE）下屬的布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄，他們成功制造了尺寸只有1nm的印刷設(shè)備，使用還是電子束印刷工藝而非傳統(tǒng)的光刻印刷技術(shù)。

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創(chuàng)造1nm工藝技術(shù)的團(tuán)隊(duì)，圖中的女性名叫Lihua Zhang（諧音張麗華，大概是個(gè)是華人或者華裔）