一般情況下，如果是一個超寬帶增透膜，就增透效果來說，最好的低折射率材料MgF2，但是關(guān)于MgF2的鍍膜，溫度基本上要300攝氏度左右最佳，參考資料是不能加離子源，300攝氏度鍍膜抽真空時間會變得較長，且如果高折射率材料是Ta2O5的話，對于使用電子槍蒸發(fā)而言，必須進行離子源輔助才會得到基本無吸收薄膜，如果高折射率材料是Ti3O5的話，300攝氏度可能會有結(jié)晶，吸收也有可能會增加。這就跟MgF2的鍍膜產(chǎn)生了沖突，我曾經(jīng)進行過加APS源嘗試，但無論怎么改變源的參數(shù)，還是避免不了吸收，我想看看大家是怎么做的，希望能得到一個最佳的做法。

H4-MGF2這兩種藥材可以做，或者用H4-SIO2這兩種也可以，你加我微信詳細的工藝溝通一下：17873333033

學習中

如果你只有APS源的話，能量最高也就200V了， 7&z`N^dz{  
其實并不適用TiO2。 #e8NF,H5  
換種材料吧

用鈦酸鑭搭配氟化鎂

我們公司鍍膜也有吸收  把鍍膜后產(chǎn)品烘烤下 吸收會減弱很多  目前是這樣做的

可以試下離子源（Ar+O2)， .hCOi<wB  
離子源先只用Ar，等鍍膜到了一定厚度（比如說1nm）再用部分的O2。 In)#`E` g.