假定我們?cè)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=晶控',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說(shuō)，但是但實(shí)際鍍膜過(guò)程中我們會(huì)看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度，會(huì)有鉆坑，這時(shí)要穩(wěn)定原來(lái)的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋，從而自動(dòng)提高輸出功率，1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動(dòng)時(shí)時(shí)控制電子槍輸出功率；2.那么假定電子槍時(shí)時(shí)輸出功率并不穩(wěn)定，排除電子槍方面問(wèn)題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問(wèn)題。

晶控儀測(cè)量速率，并且只能通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） $%EX~$=m]-  
而無(wú)視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒(méi)有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 Z_GGH2u  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過(guò)程中坩堝狀態(tài)會(huì)有哪些變化等等，合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時(shí)間等參數(shù)，保護(hù)電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 o*K7(yUL4  
?`+VWa[,e  
自動(dòng)情況下，一般是晶控儀的功率輸出（模擬量，如0~10V，在界面上顯示百分比功率）直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接，最后相當(dāng)于直接控制。 .$\-{)  
%n$f#Ml_r  
膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商

morningtech:晶控儀測(cè)量速率，并且只能通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） 25Ee+&&%  
而無(wú)視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒(méi)有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 g5U,   
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過(guò)程 .. (2019-07-15 19:59)  XOX$uLm  

62nmm/c  
謝謝您的回復(fù)，想了想假設(shè)參數(shù)條件正常，現(xiàn)觀測(cè)到速率曲線不穩(wěn)定，同時(shí)輸出功率也在波動(dòng)，那么想必蒸發(fā)此材料電子槍輸出功率勢(shì)必也是在不斷調(diào)整中，那么問(wèn)題來(lái)了，也就是您所說(shuō)的有上述原因，因?yàn)椴豢煽匾蛩兀�故只能合理變向改善工藝已及根�?jù)材料特性作出對(duì)結(jié)果有利的參數(shù)

有些因素不是不可控，只是對(duì)晶控儀來(lái)說(shuō)不可控。 .@x.   
沉積速率不穩(wěn)定的原因，有很多方面。 V=fu[#<@Ig  
既有前述一些晶控以外的原因，晶控系統(tǒng)自身也存在原因： 1<~n2}   
晶振片選擇、探頭清潔、安裝、冷卻、使用情況（如新舊）。PID參數(shù)，甚至晶控儀自身老化。都是原因。 ^XeJZkLEB  
另一方面，速率穩(wěn)定是相對(duì)的，10%以內(nèi)變化一般可以接受。 {8mJ<b>VA  
膜林晶控-專業(yè)晶控儀生產(chǎn)研制商

能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 c|:E
MYS  
你的情況，如果沒(méi)法用大一點(diǎn)的坩堝，那只能分兩個(gè)坩堝鍍膜了。 X*#\JF4$i  

確實(shí)因素多，忽然想起您說(shuō)的離子源問(wèn)題對(duì)晶控有影響，這也是光控的好處。以實(shí)際情況排查是最可靠的，遇到過(guò)因冷卻情況的，還有晶控線針頭式接觸的，貪圖低價(jià)貨晶振片劃痕，針孔的，頻率降的極快。對(duì)了，您能給個(gè)聯(lián)系方式我嗎？

ouyuu:能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 ]'#^ ~.  
你的情況，如果沒(méi)法用大一點(diǎn)的坩堝，那只能分兩個(gè)坩堝鍍膜了。 527u d^:  
 (2019-07-17 23:09)  dDYor-g>  

1JGww]JZo  
嗯，您說(shuō)的也對(duì)

qqcheng:確實(shí)因素多，忽然想起您說(shuō)的離子源問(wèn)題對(duì)晶控有影響，這也是光控的好處。以實(shí)際情況排查是最可靠的，遇到過(guò)因冷卻情況的，還有晶控線針頭式接觸的，貪圖低價(jià)貨晶振片劃痕，針孔的，頻率降的極快。對(duì)了，您能給個(gè)聯(lián)系方式我嗎？[表情]  (2019-07-19 04:54)  0^MRPE|f5  

&Mh]s\  
晶控首先是觀察者，然后才是控制者。觀察過(guò)程受干擾的因素很多。現(xiàn)場(chǎng)分析排查。 ,Ct1)%   
sGJZG  
聯(lián)系方式可以去我公司網(wǎng)站找到，百度膜林科技即可，此處不方便留。 T!H }^v  
s9?H#^Y5u  
膜林科技-專業(yè)晶控儀研制商。

qqcheng:嗯，您說(shuō)的也對(duì) (2019-07-19 04:59)  |Skhx9};  

b*"%E,?  
版主可不是浪得虛名。呵。

厚度厚的層分鍋鍍制