假定我們?cè)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=晶控',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">晶控系統(tǒng)中常有設(shè)置材料輸出功率上限和速率一說(shuō)，但是但實(shí)際鍍膜過(guò)程中我們會(huì)看到例如材料蒸發(fā)到一定厚度，會(huì)有鉆坑，這時(shí)要穩(wěn)定原來(lái)的速率也不知道是不是晶控系統(tǒng)受到反饋，從而自動(dòng)提高輸出功率，1.晶控系統(tǒng)的速率設(shè)置是否直接自動(dòng)時(shí)時(shí)控制電子槍輸出功率；2.那么假定電子槍時(shí)時(shí)輸出功率并不穩(wěn)定，排除電子槍方面問(wèn)題是不是可以理解為晶控系統(tǒng)方面問(wèn)題。

晶控儀測(cè)量速率，并且只能通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） ?Bq"9*q  
而無(wú)視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒(méi)有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 C#emmg!a\  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過(guò)程中坩堝狀態(tài)會(huì)有哪些變化等等，合理設(shè)置最大功率、最大鍍膜時(shí)間等參數(shù)，保護(hù)電子槍和坩堝。這些目前都是工藝人員要掌控的參數(shù)。 O}MY:6Pe  
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自動(dòng)情況下，一般是晶控儀的功率輸出（模擬量，如0~10V，在界面上顯示百分比功率）直接接到控制電子槍、阻蒸等的功率控制部分。也有間接連接，最后相當(dāng)于直接控制。 &Sj<X`^  
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morningtech:晶控儀測(cè)量速率，并且只能通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整速率（PID）。（調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)整沉積速率，容易理解和實(shí)現(xiàn)。） y%|nE((  
而無(wú)視光斑、掃描、材料多少、真空度等工藝參數(shù)，因?yàn)榫Э貎x還沒(méi)有調(diào)整這些參數(shù)的手段和方法。 yv9~  
光斑位置，掃描頻率和幅度，材料蒸發(fā)有什么特點(diǎn)、能做多厚膜，材料減少過(guò)程 .. (2019-07-15 19:59)  {0lY\#qcE  

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謝謝您的回復(fù)，想了想假設(shè)參數(shù)條件正常，現(xiàn)觀測(cè)到速率曲線不穩(wěn)定，同時(shí)輸出功率也在波動(dòng)，那么想必蒸發(fā)此材料電子槍輸出功率勢(shì)必也是在不斷調(diào)整中，那么問(wèn)題來(lái)了，也就是您所說(shuō)的有上述原因，因?yàn)椴豢煽匾蛩兀�故只能合理變向改善工藝已及根�?jù)材料特性作出對(duì)結(jié)果有利的參數(shù)

有些因素不是不可控，只是對(duì)晶控儀來(lái)說(shuō)不可控。 nR6~oB{-  
沉積速率不穩(wěn)定的原因，有很多方面。  &{7n  
既有前述一些晶控以外的原因，晶控系統(tǒng)自身也存在原因： WnLgpt2G  
晶振片選擇、探頭清潔、安裝、冷卻、使用情況（如新舊）。PID參數(shù)，甚至晶控儀自身老化。都是原因。 ldM [8  
另一方面，速率穩(wěn)定是相對(duì)的，10%以內(nèi)變化一般可以接受。 ~4U[p 50  
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能調(diào)的也就晶控的PID參數(shù)了。 %\}|& 肥东县| 卫辉市| 南澳县| 丹棱县| 灵山县| 建水县| 九江县| 宁明县| 乐昌市| 西昌市| 务川| 若羌县| 察隅县| 庆城县| 定兴县| 安溪县| 客服| 南华县| 翁牛特旗| 维西| 金寨县| 巢湖市| 衡阳市| 金沙县| 精河县| 莱州市| 榕江县| 衢州市| 洪湖市| 云霄县| 东光县| 蕲春县| 大名县| 五常市| 雷山县| 图木舒克市| 阿勒泰市| 瓮安县| 集安市| 东港市| 庆城县|