三星宣布與合作伙伴一同發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶氮化硼（a-BN）的新材料。其在三星先進技術(shù)研究院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學(xué)技術(shù)研究院(UNIST)以及劍橋大學(xué)合作進行了這一發(fā)現(xiàn)。合作者在《自然》雜志上發(fā)表了他們的研究成果，并認為這種材料將 "加速下一代半導(dǎo)體的出現(xiàn)"。 YHom9&A  
|-{e!&  
三星在解釋新發(fā)現(xiàn)的非晶氮化硼時表示，它由硼和氮原子組成，具有非晶分子結(jié)構(gòu)，新材料來源于白色石墨烯，但不同的分子結(jié)構(gòu)使得a-BN與白色石墨烯 "有獨特的區(qū)別"。 BNE:,I*&  
eDP&W$s#  
三星表示，a-BN有望廣泛應(yīng)用于DRAM和NAND解決方案，因為它能夠最大限度地減少電干擾，并且可以在400℃的相對低溫下完成晶圓的規(guī)模生長。 +U J~/XV  
uwI"V|g%a&  
石墨烯項目負責(zé)人、SAIT首席研究員Hyeon-Jin Shin在評論這種材料時說。 tzd!r7  
~E8/m_> rU  
+{=U!}3|  
"為了提高石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性，應(yīng)在低于400℃的溫度下實現(xiàn)半導(dǎo)體基板上的晶圓級石墨烯生長。我們也在不斷努力，將石墨烯的應(yīng)用擴展到半導(dǎo)體之外。" ZG1TRF "  
--"5yGOL  
該公司沒有給出希望何時開始在其硬件產(chǎn)品中使用這種新材料的日期，但表示可以將其應(yīng)用于半導(dǎo)體，特別是大規(guī)模服務(wù)器的下一代存儲器解決方案中的DRAM和NAND方案。 $PRd'YdL/  
h@*I(ND<