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在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項目的基本程序： rHR5,N: • 生成材料 o(BYT9|.kw • 插入波導和輸入平面 Iy-u`S • 編輯波導和輸入平面的參數(shù) wP+'04H0 • 運行仿真 ' $lw[1 • 選擇輸出數(shù)據(jù)文件 >l6XZQ
> • 運行仿真 mT}Aj e- L • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果和各種數(shù)值工具 <`^>bv9 ]eORw $f 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎(chǔ)上，對仿真過程進行了簡化描述。如果需要更多細節(jié)信息，可參閱之前課程中提供的操作。 aj%
`x4e A -_:JQ 本課程描述了如何創(chuàng)建一個MMI星型耦合器。該星型耦合器是對簡單MMI耦合器(教程2：創(chuàng)建一個簡單多模干涉星型（下文簡稱為MMI）耦合器)的進一步改進。它是由一個輸入波導、一個MMI耦合器以及四個輸出波導組成。步驟如下： \q|e8k4p • 定義MMI星型耦合器的材料 gDgP;i d • 定義布局設(shè)置 ]ZBgE\[ • 創(chuàng)建MMI星形耦合器 r(748Qc4f? • 運行模擬 K1CMLX]m • 查看最大值 HP1X\h!Ke • 繪制輸出波導 {"Y ]/6 • 為輸出波導分配路徑 ntd
":BKi • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果 "Vs
Nyy • 添加輸出波導并查看新的仿真結(jié)果 N}e(. • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結(jié)果 GIJV;7~ 1. 定義MMI星型耦合器的材料 %@)U/G6s} 要定義單向彎曲器件的材料，請執(zhí)行以下步驟。 $H
%+k? 步驟 操作 =rE `ib 1) 創(chuàng)建一個介電材料： m^(E :6T 名稱：guide !: `Ra 相對折射率(Re)：3.3 a?f5(qW3 2) 創(chuàng)建第二個介電材料 D RS;lJ2 名稱： cladding 7~QwlU3n<F 相對折射率(Re)：3.27 WcQZFtW 3) 點擊保存來存儲材料 #0#V$AA> 4) 創(chuàng)建以下通道： V_ avaE 名稱：channel b3jU~L$ 二維剖面定義材料: guide l93Q"*_ 5 點擊保存來存儲材料。 |O #w
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