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在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項(xiàng)目的基本程序： N9-7YQ`D • 生成材料 +{RTz)e?* • 插入波導(dǎo)和輸入平面 c!/ +0[ • 編輯波導(dǎo)和輸入平面的參數(shù) v"W*@7<`S • 運(yùn)行仿真 p6 R+t]oH • 選擇輸出數(shù)據(jù)文件 @uldD"MJ<] • 運(yùn)行仿真 m fN'+`r • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果和各種數(shù)值工具 w.a9}GC !*Eu(abD 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎(chǔ)上，對(duì)仿真過(guò)程進(jìn)行了簡(jiǎn)化描述。如果需要更多細(xì)節(jié)信息，可參閱之前課程中提供的操作。 -v.\W y~\ }cr'o"4 本課程描述了如何創(chuàng)建一個(gè)MMI星型耦合器。該星型耦合器是對(duì)簡(jiǎn)單MMI耦合器(教程2：創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單多模干涉星型（下文簡(jiǎn)稱為MMI）耦合器)的進(jìn)一步改進(jìn)。它是由一個(gè)輸入波導(dǎo)、一個(gè)MMI耦合器以及四個(gè)輸出波導(dǎo)組成。步驟如下： &29jg_'W • 定義MMI星型耦合器的材料 Hd\V?#H • 定義布局設(shè)置 eqsmv [ • 創(chuàng)建MMI星形耦合器 bXOKC • 運(yùn)行模擬 8hD [z} • 查看最大值 0hV#]`9`gN • 繪制輸出波導(dǎo) c|;n)as9(% • 為輸出波導(dǎo)分配路徑 4P k% +l • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果 (8)9S6 • 添加輸出波導(dǎo)并查看新的仿真結(jié)果 CV.|~K0O • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結(jié)果 Q_|}~4_+ 1. 定義MMI星型耦合器的材料 wlJi_)! 要定義單向彎曲器件的材料，請(qǐng)執(zhí)行以下步驟。 !>n!Q*\(Ov 步驟 操作 rR-[CT 1) 創(chuàng)建一個(gè)介電材料： 7I
X Wv- 名稱：guide {tUe( 相對(duì)折射率(Re)：3.3 l d@+p 2) 創(chuàng)建第二個(gè)介電材料 m^}|LB:5 名稱： cladding $Dj8 a\L 相對(duì)折射率(Re)：3.27 {pIh/0 3) 點(diǎn)擊保存來(lái)存儲(chǔ)材料 r)pt(*KHo 4) 創(chuàng)建以下通道： jts0ZFHc- 名稱：channel gVfFEF. 二維剖面定義材料: guide EXCE^Vw 5 點(diǎn)擊保存來(lái)存儲(chǔ)材料。
pE)NSZ
>5Yn`Fc5 2. 定義布局設(shè)置 '-YiV 要定義布局設(shè)置，請(qǐng)執(zhí)行以下步驟。 5MaN
{ *)l 步驟 操作 kt2_WW[ 1) 鍵入以下設(shè)置。 aC\f;&P > a. Waveguide屬性： @6>Q&G Yqt 寬度：2.8
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