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    [討論]求助各位大佬,怎么才能過雙85環(huán)測? [復(fù)制鏈接]

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    離線tfcalc68
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2023-03-17
    用MGF2+H4這兩種材料,什么工藝才能過雙85環(huán)測呀? +?6]Vu&|f  
    目前試過:設(shè)定溫度320℃,MGF2速率3.0A/S,H4速率1.5A/S,最后鍍15nm  SIO2,速率1.5A/S,MGF2打底層,高溫高濕脫膜,看上去像是最外層膜脫落 aO1.9! <v  
    也試過:320℃,MGF2速率5.0A/S,H4速率3.0A/S,最外層鍍10nm金剛膜,MGF2打底層,高溫高濕有亞克,太陽輻照脫膜 M)K!!Jqh  
    用這兩種材料能過環(huán)測嗎?人都麻了
     
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    離線tfcalc68
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2023-03-17
    APC充氧流量的多少有什么影響嗎?
    離線tfcalc68
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2023-03-17
    沒人給點(diǎn)意見嗎?
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    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2023-03-22
    上離子源
    離線yzhuang
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    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2023-03-30
    MgF2換成SiO2,損失一些光學(xué)性能,換來更好的穩(wěn)定性。
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    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2023-03-31
    建議測一下溫度,鍍膜時基片至少要在270°,起始真空度2.0E-3,H4充氧少一點(diǎn),6.0E-3左右
    離線flyinlove79
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    只看該作者 6樓 發(fā)表于: 2023-05-26
    氧化硅蒸發(fā)速率太小了,膜層太疏松吸潮后很容易脫膜
    離線knight627
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    只看該作者 7樓 發(fā)表于: 2023-06-08
    不太理解為什么要用sio2+mgf2最外層這結(jié)構(gòu),無論是光譜還是致密性也應(yīng)該是mgf2 或者mgf2+sio2更好,SIO2本就是柱狀結(jié)構(gòu)
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