鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
H;$w^Tr 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
"`&?<82 ?G8 D6
Mq*Sp
UR @j^qT-0M
<BO|.(ys 'z!I#Y!Y 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
lGcHfW)Y 鍍膜下機確認(rèn)無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。