鍍膜工藝:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高溫鍍膜:320度,無IAD,有這種現(xiàn)狀)
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_w6} 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高溫鍍膜:120度,IAD,有這種現(xiàn)狀)
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B,U|V /_1q)`NYy
t 09-y o'K= X E 鍍膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
V@r V+s 鍍膜下機(jī)確認(rèn)無這種現(xiàn)象,放置24H后,表面開始吸附東西。