發(fā)光二極管（LED）作為電致發(fā)光器件，在施加電壓時發(fā)光，廣泛應用于顯示器、傳感器和通信系統(tǒng)等電子與光電子技術中。

近年來，量子點LED（QLED）因其采用納米半導體粒子作為發(fā)光材料，在能效和穩(wěn)定性方面展現(xiàn)出優(yōu)于傳統(tǒng)LED的潛力。

然而，現(xiàn)有QLED的響應速度顯著慢于基于無機III-V族半導體的LED，這一瓶頸制約了其在高速光通信等領域的應用。

浙江大學、劍橋大學等機構(gòu)的研究團隊在《自然·電子學》發(fā)表突破性研究，首次揭示了QLED具有獨特的"激發(fā)記憶效應"。通過瞬態(tài)電致發(fā)光測量發(fā)現(xiàn)，即使斷電數(shù)毫秒后，器件仍能"記憶"先前的電脈沖激勵。這種效應源于非晶聚合物半導體中的深能級空穴陷阱態(tài)，當器件在更高脈沖頻率下工作時，殘余電荷可顯著加速后續(xù)激發(fā)響應。

基于此發(fā)現(xiàn)，團隊設計出電容低至19 MHz（-3 dB帶寬）的微型QLED原型。該器件在保持高能效的同時，實現(xiàn)了100 MHz的電致發(fā)光調(diào)制頻率和120 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。

研究人員指出，通過開發(fā)復合速率更快的量子點材料（如新型核殼結(jié)構(gòu)），并優(yōu)化器件中的有機組分以增強記憶效應，QLED的響應速度有望獲得進一步提升。這項發(fā)現(xiàn)不僅為高速光通信開辟了新路徑，也為QLED在虛擬現(xiàn)實、激光雷達等領域的應用奠定基礎。

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