摘要：為了探究原子光刻中基片與會聚激光場間距對沉積納米光柵質(zhì)量的影響，我們基于VirtualLab Fusion平臺實現(xiàn)了基片定位控制方案中光學(xué)系統(tǒng)的建模和仿真。結(jié)果顯示：基片在切割會聚激光時將產(chǎn)生直邊衍射圖像，其輪廓形狀和最大值都會隨著基片切割激光截面區(qū)域大小的變化而變化：虛擬光電探測器上所得到的反射光強度值將隨著基片－會聚激光間距的變化給出了倒置的高斯線型，其最低點出現(xiàn)在基片中心和會聚激光場軸線重合時的位置上。當(dāng)會聚激光場截面恰好被基片阻擋一半時，探測處的強度值降至45.5%。這種光強隨基片位置的變化情況為精確地定位基片位置提供了理論支撐。

關(guān)鍵詞：原子光刻；鉻原子；會聚激光；VirtualLab Fusion平臺納米科技的快速發(fā)展，迫切需要相關(guān)檢測儀器具有量值溯源的特性，以保證加工對象的精度和成品率．現(xiàn)在開發(fā)出來的計量型納米測量儀器有如下原因而不能滿足現(xiàn)場或者一般實驗室快速 溯源檢測的要求。１）設(shè)計復(fù)雜，價格昂貴，工作環(huán)境要求苛刻；2）只能建立在國家級計量院所