主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： TR% 8O; • 定義MMI耦合器的材料； J!}\v=Rn • 定義布局設定； fWf't2H& • 創(chuàng)建一個MMI耦合器； FOhq&\nkU • 插入輸入面； T*g}^TEh • 運行模擬； 0 +k..l • 在OptiBPM_Analyzer中預覽模擬結(jié)果。 /A+5q\8G !DUOi 4I 1. 定義MMI耦合器的材料 B.!&z- )# 為了定義MMI耦合器的材料，需要進行如下操作： h 8 FV2" 1) 通過File-New打開“初始性能對話框（Initial Properties）“ hu >wcOt P$]K 圖1.初始性能對話框
sm{/S *3 2) 點擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設計窗口（Profile Designer）” P @F x6 ^%m{yf# 圖2.輪廓設計窗口
b`JS& E 3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 &?TXsxf1Zh
1h#/8 X $KhD>4^ jL 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
j{johV+`8 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： =:t<!dp − Name : Guide @ NL37 C − Refractive Index (Re) : 3.3 i/Nc) kKL − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關閉窗口 "3'a.b akw 'V8o["P 圖4.創(chuàng)建Guide材料
4TyzD%pOw 5) 重復步驟3）和4），創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料： B%`| W@v − Name : Cladding s:cJF − Refractive Index (Re) : 3.27 pNZ3vTs6 − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關閉窗口 J@QOF+
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