主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： HvwYm.$zE • 定義MMI耦合器的材料； VSX@e|Nj • 定義布局設(shè)定； ^ <`(lyph • 創(chuàng)建一個MMI耦合器； Ga>uFb}W~ • 插入輸入面； C B YX] • 運行模擬； {=2DqkTD • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 ;h=*!7:
<yA}i"-1W 1. 定義MMI耦合器的材料 ~+X9g 為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作： zdl%iop3e 1) 通過File-New打開“初始性能對話框（Initial Properties）“ q<W=#Sx 2| iV,uJ& 圖1.初始性能對話框
{]*x*aa\ 2) 點擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計窗口（Profile Designer）” u|#>32 kV AI vXb\wL 圖2.輪廓設(shè)計窗口
+ECDD'^! 3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 ) /vhclkb
RrZM&lXY u 9woEe? 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
^)!F9h + 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： 1F'1>Bu~ − Name : Guide `^JJ&)4iv − Refractive Index (Re) : 3.3 Qp,DL@mp>8 − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 Gl %3XdU Z7rJ }VP 圖4.創(chuàng)建Guide材料
EJ}!F? o 5) 重復(fù)步驟3）和4），創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料： J&/lx ${ − Name : Cladding RgdysyB − Refractive Index (Re) : 3.27
l- pe4x − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 8b.u 'r174 MTER(L 圖5.左圖為創(chuàng)建Cladding材料，右圖為材料創(chuàng)建成功后電解質(zhì)材料標(biāo)簽下的顯示 WL,&-*JAW
6) 雙擊Profiles標(biāo)簽下的Channel-Channel1，進(jìn)入通道編輯窗口，構(gòu)建通道： fA% z *\ − Name ： Guide_Channel F;ZSzWq − 2D profile definition: Guide lE8&..~l$+ − 點擊“Store”保存創(chuàng)建的通道并關(guān)閉通道編輯窗口，關(guān)閉Profile Designer窗口 s`j~- P _-!s BK+F 圖6.構(gòu)建通道
GDhE[of 2. 定義布局設(shè)定 `i) 2nNJ"
為了定義布局設(shè)定，需要在“初始性能對話框（Initial Properties）”窗口進(jìn)行以下操作： LH 3}d<{
1) 點擊“默認(rèn)波導(dǎo)（Default Waveguide）”標(biāo)簽 SKuIF*"! S
− Width：2.8 XY.5Rno4
注意：所有的波導(dǎo)將會使用此設(shè)定以作為默認(rèn)厚度 u cwnA
− Profile：Channel-Guide =p^He!
圖7.默認(rèn)波導(dǎo)標(biāo)簽下“Width”以及“Profile”設(shè)置
v[@c*wo
N..j{FE
2) 切換到“晶圓尺寸（Wafer Dimension）”標(biāo)簽： Md6]R-l@
− Length：5300 n,HE0Zn]Y_
− Width：60 4H5pr
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