我也剛接觸ASAP，是個(gè)十足的菜鳥。ASAP如何模擬LED才算正確，我也不知道，我跟大伙一樣都在苦苦尋求和摸索。這里是我模擬LED得到的一點(diǎn)總結(jié)，方法的正確性還不是很敢確定，希望跟大家一起探討，希望高手能夠指點(diǎn)。 EIrAq!CA  
    模擬步驟： $"P[nNW3  
    1. 建立環(huán)氧樹脂封裝模型。該模型可以直接在ASAP中建立，也可以通過其他三維建模軟件與asap相結(jié)合來完成。我是在pro/e中建模，之后保存為igs格式的文件，然后再導(dǎo)入ASAP。至于如何導(dǎo)入，可以參考技術(shù)導(dǎo)引。 \~!!h.xR  
    2. 建立反光碗。該步驟與步驟1一樣有多種方法，不過建議直接在asap中建模，利用edge line 、sweep等命令完成。 NtfzAz/  
    3. 建立芯片。個(gè)人認(rèn)為因該有兩種建立芯片的方法，從而產(chǎn)生兩種模擬方法。方法一，利用EMITTING OBJ 命令來建立；方法二，利用EMITTING RECT命令來建立。 (& UQ^  
    4. 追跡光線及分析。 MOia]5
 
    注意的幾個(gè)地方： a7@':Rb n  
    1. 需要用到IMMENSE 命令，該命令必須在定義光源之前使用。 `i:DmIoz  
    2. 分析時(shí)，需要用到consider選項(xiàng)。當(dāng)想得到光強(qiáng)分布時(shí)，需要選擇環(huán)氧樹脂封裝的外表面，這 個(gè)至關(guān)重要。 y<5RV>"Vg  
    兩種方法的比較，以及存在的問題： 
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    1.方法一 / :z<+SCh  
    方法一就是利用EMITTING OBJ命令建立光源的情況，該方法模擬的結(jié)果和實(shí)際測(cè)量的數(shù)據(jù)比較吻合。文中的圖形是方法一模擬得到的圖形 。  B8~JUGD  
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  2. 方法二 bpx ^  
  該方法是利用EMITTING RECT命令來建立光源。個(gè)人覺得該方法是可行的，在 Modling incoherernt Extended sources ASAP 這篇技術(shù)導(dǎo)引中也提到這種方法，不過我試了好幾次都沒能成功，希望跟大家一起探討。 >2t.7UhDI  
  附件中是方法一和方法二建立的LED模型程式。 e1OGGF%En  
77b^d9! ~  
  期待高手指點(diǎn)！！謝了~

模擬led的重點(diǎn)，我覺得是在led的尺寸，有些關(guān)鍵的尺寸datasheet都不會(huì)寫，例如晶杯的位置、角度、高度、晶粒的大小，這些datasheet都不會(huì)提到，再加上製程問題，很難模擬出和實(shí)物接近的光源出來。

產(chǎn)品規(guī)格書中的數(shù)據(jù)僅僅是個(gè)參考,很多都不準(zhǔn)確的。比如里面的相對(duì)光強(qiáng)，很多是徒手畫的。 `FGYc  
其實(shí)這些數(shù)據(jù)可以直接咨詢廠家的。

北兄.. @-ml=S7;Sz  
  在這看到你的帖子了... UCt}\IJ  
我也準(zhǔn)備開始學(xué)習(xí)ASAP了. a
pOa E7|  
加油吧!~~~

哈，其實(shí)基本上，LED廠是不會(huì)給晶杯及晶粒資料的，光強(qiáng)度也只能靠自己量測(cè)，LED也是不會(huì)給的，而且材質(zhì)特性也不會(huì)給，這幾點(diǎn)在模擬上常常會(huì)造成困擾。

支持原創(chuàng)，學(xué)習(xí)一下。

繼續(xù)，論壇喜歡原創(chuàng)！

引用第4樓flightpig于2007-08-04 20:45發(fā)表的  : Kp6 @?  
哈，其實(shí)基本上，LED廠是不會(huì)給晶杯及晶粒資料的，光強(qiáng)度也只能靠自己量測(cè)，LED也是不會(huì)給的，而且材質(zhì)特性也不會(huì)給，這幾點(diǎn)在模擬上常常會(huì)造成困擾。

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能不能得到這些數(shù)據(jù)，這就得看自個(gè)兒的能力和運(yùn)氣了 J09jBQ]R  
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+lgm+  
一般只要耐心跟廠家解釋清楚自己的目的，一般都會(huì)給的。至少我是很走運(yùn)的~~

小吳,加油,所有的一些數(shù)據(jù)我都會(huì)幫你搞定,加油吧

贊 Ln4]uqMG.  
已經(jīng)有自己的心得了 N#K)Z5J)b  
進(jìn)步很快