對于標準管芯（200-350μm2），日本日亞公司報道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率為35.5%，藍光(460 nm) 18.8 mW，其外量子效率為34.9%。美國Cree公司可以提供功率大于15 mW 的藍色發(fā)光芯片(455～475 nm)和最大功率為21 mW的紫光發(fā)光芯片（395～410 nm），8 mW 綠光（505～525 nm）發(fā)光芯片。臺灣現(xiàn)在可以向市場提供6 mW左右的藍光和4 mW左右的紫光芯片，其實驗室水平可以達到藍光10 mW和紫光7～8 mW的水平。國內(nèi)的公司可以向市場提供3～4mW的藍光芯片，研究單位的水平為藍光6 mW左右，綠光1～2 mW，紫光1～2 mW。 6JeAXj1g+  
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　　隨著外延生長技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展，超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改善，如波長625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率可達到100%，已接近極限。 VV#'d  
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　　AlGaInN基材料內(nèi)存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應(yīng)力和電場等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率比較低，但也在35～50%之間，半導(dǎo)體材料本身的光電轉(zhuǎn)換效率己遠高過其它發(fā)光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關(guān)鍵。這在很大程度上要求設(shè)計新的芯片結(jié)構(gòu)來改善芯片出光效率，進而達到提升發(fā)光效率(或外量子效率)的目的，大功率芯片技術(shù)也就專注于如何提升出光效率來提升芯片的發(fā)光效率，主要技術(shù)途徑和發(fā)展狀況闡述如下： 3[?;s}61  
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1）改變芯片外形的技術(shù) * 兰考县| 大港区| 达州市| 新龙县| 吉安县| 高安市| 瑞昌市| 洪湖市| 娱乐| 九龙县| 荣昌县| 井陉县| 子洲县| 信丰县| 荣成市| 浦县| 延安市| 哈密市| 辉南县| 弥渡县| 托克逊县| 祥云县| 辉南县| 江城| 上虞市| 通州市| 财经| 凉城县| 尼玛县| 麻城市| 彝良县| 桦川县| 奇台县| 贺兰县| 阿克陶县| 大新县| 东海县| 个旧市| 宜川县| 庆阳市| 湘潭县|