對于標準管芯（200-350μm2），日本日亞公司報道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mW，其外量子效率為35.5%，藍光(460 nm) 18.8 mW，其外量子效率為34.9%。美國Cree公司可以提供功率大于15 mW 的藍色發(fā)光芯片(455～475 nm)和最大功率為21 mW的紫光發(fā)光芯片（395～410 nm），8 mW 綠光（505～525 nm）發(fā)光芯片。臺灣現在可以向市場提供6 mW左右的藍光和4 mW左右的紫光芯片，其實驗室水平可以達到藍光10 mW和紫光7～8 mW的水平。國內的公司可以向市場提供3～4mW的藍光芯片，研究單位的水平為藍光6 mW左右，綠光1～2 mW，紫光1～2 mW。  wG6Oz2(  
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　　隨著外延生長技術和多量子阱結構的發(fā)展，超高亮度發(fā)光二極管的內量子效率己有了非常大的改善，如波長625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內量子效率可達到100%，已接近極限。 lY2~{Y|4s  
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　　AlGaInN基材料內存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應力和電場等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內量子效率比較低，但也在35～50%之間，半導體材料本身的光電轉換效率己遠高過其它發(fā)光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關鍵。這在很大程度上要求設計新的芯片結構來改善芯片出光效率，進而達到提升發(fā)光效率(或外量子效率)的目的，大功率芯片技術也就專注于如何提升出光效率來提升芯片的發(fā)光效率，主要技術途徑和發(fā)展狀況闡述如下： 嘉定区| 乐清市| 英德市| 海阳市| 尚义县| 石台县| 牙克石市| 汾阳市| 灵石县| 中阳县| 旺苍县| 东乡| 玛纳斯县| 松阳县| 阿坝| 桂平市| 南华县| 涿鹿县| 涟源市| 伊川县| 赫章县| 琼结县| 大冶市| 鄄城县| 拉萨市| 金沙县| 佛冈县| 佛坪县| 江口县| 阿瓦提县| 金川县| 武鸣县| 镇安县| 吴堡县| 浦北县| 汝阳县| 芜湖县| 凌云县| 长海县| 永定县| 津市市|