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    [分享]半導(dǎo)體激光器技術(shù)概論 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2008-06-26
    關(guān)鍵詞: 激光器
    一、量子阱(QW)激光 <)vjoRv  
    '_n J DM  
    (1)QW激光器 ?-y!FD}m&  
    9&>)4HNd?  
    隨著金屬有機物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)技術(shù)的逐漸成熟和完善,QW激光器很快從實驗室研制進入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件,材料生長一般是采用MOCVD外延技術(shù)。這種器件的特點就在于它的QW有源區(qū)具有準二維特性和量子尺寸效應(yīng)。QW激光器與體材料激光器相比,具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點,并可直接在較高的溫度下工作。 /qYo*S_cG  
    1Rrl59}5  
    (2)應(yīng)變QW激光器 }3"FQ/6C  
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