如果要使激光器的調(diào)制帶寬得到提高，關(guān)鍵是降低激光器的電學寄生因素的影響，尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結(jié)構(gòu)中的輸運過程。
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    制造高速激光器時，要想提高器件的3db帶寬，可以采取以下措施： Y'%Iat(z  
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    ①有源區(qū)采用應(yīng)變（補償）多量子阱結(jié)構(gòu)——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應(yīng)變和垂直于阱面方向的拉伸應(yīng)變，其價帶頂?shù)闹乜昭�能級上升，而且這種價帶發(fā)生退簡并，使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零，使室溫下的俄歇復合幾率減小，從而導致這種量子阱激光器的閾值電流下降，線寬增強因子減小以及弛豫振蕩頻率、調(diào)制帶寬、微分增益系數(shù)顯著提高。 Y'H/ $M N  
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    ②有源區(qū)p型摻雜 ——p型摻雜可減小穿過sch區(qū)域時的空穴輸運，這對高速量子阱器件是主要的限制；p型摻雜可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中載流子的分布更加均勻。 `*9FKs  
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    若有源區(qū)zn摻雜濃度接近1018 cm-3時，其3db帶寬可達25ghz，而且摻雜還可使器件的振蕩頻率增加到30ghz（腔長為300μm）。此外，重摻雜還有利于降低線寬增強因子和進一步提高微分增益，這些都有利于提高器件的調(diào)制特性。 R.'Gg  
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    ③降低電學寄生參數(shù)——為了降低高速激光器的電學寄生參數(shù)，尤其是寄生電容，可采用半絕緣fe-inp再生長掩埋技術(shù)，同時還需減小電極面積；采用自對準窄臺面結(jié)構(gòu)（sa-cm）以減小器件的寄生電容。人們還常利用填充聚酰亞胺的方法來減小寄生電容。 QAnfxt6  
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    ④提高激光器內(nèi)部光子濃度和微分增益——增加激光器腔內(nèi)的光子濃度，可增加本征諧振頻率。利用dfb結(jié)構(gòu)使激射波長與增益峰波長為負失諧（-10nm），可以提高微分增益，這些都可以增加-3db調(diào)制帶寬。 Uk ;.Hrt.  
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