今天來探討LED外延片的成長工藝，早期在小積體電路時代，每一個6吋的外延片上制作數(shù)以千計的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個8吋的外延片上也只能完成一兩百個大型芯片。外延片的制造雖動輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎。 "S]TP$O D  
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硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹： RqrdAkg  
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長晶主要程式： }0z)5c  
1、融化(MELtDown) n\DV3rXI9  
此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化復晶硅，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產能。 m(!FHPvN  
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2、頸部成長(Neck Growth) =T@1@w  
當硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定(約6mm)，維持此直徑并拉長10-20cm，以消除晶種內的排差(dislocation)，此種零排差(dislocation-free)的控制主要為將排差局限在頸部的成長。 kevrsV]/$  
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3、晶冠成長(Crown Growth) \b x$i*  
長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 "+s++@ z  
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4、晶體成長(Body Growth) oc`H}Wvn  
利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產生。 Otuf]B^s  
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5、尾部成長(Tail Growth) da(<K}  
當晶體成長到固定(需要)的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現(xiàn)象。 Q &JUt(  
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切割： z:*|a+cy  
晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圓片，是半導體元件"芯片"或"芯片"的基材，從拉伸長出的高純度硅元素晶柱 (Crystal Ingot)上，所切下之圓形薄片稱為外延片(外延片)。 6&x@.1('z  
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磊晶： 5j(k:a+!H  
砷化鎵磊晶依制程的不同，可分為LPE(液相磊晶)、MOCVD(有機金屬氣相磊晶)及MBE(分子束磊晶)。LPE的技術較低，主要用于一般的發(fā)光二極體，而MBE的技術層次較高，容易成長極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產能力低，磊晶成長速度慢。MOCVD除了純度高，平整性好外，量產能力及磊晶成長速度亦較MBE為快，所以現(xiàn)在大都以MOCVD來生產。 &QgR*,5eo  
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其過程首先是將GaAs襯底放入昂貴的有機化學汽相沉積爐（簡MOCVD，又稱外延爐），再通入III、II族金屬元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸氣與非金屬(V或VI族元素）的氫化物（或烷基物）氣體，在高溫下，發(fā)生熱解反應，生成III-V或II-VI族化合物沉積在襯底上，生長出一層厚度僅幾微米（1毫米＝1000微米）的化合物半導體外延層。長有外延層的GaAs片也就是常稱的外延片。外延片經芯片加工后，通電就能發(fā)出顏色很純的單色光，如紅色、黃色等。不同的材料、不同的生長條件以及不同的外延層結構都可以改變發(fā)光的顏色和亮度。其實，在幾微米厚的外延層中，真正發(fā)光的也僅是其中的幾百納米（1微米＝1000納米）厚的量子阱結構。 :o3N;*o>)0  
反應式： Ga(CH3)3 +PH3= GaP+3CH4