隨著技術(shù)的發(fā)展，LED的效率有了非常大的進(jìn)步。在不久的未來(lái)LED會(huì)代替現(xiàn)有的照明燈泡。近幾年人們制造LED晶粒/芯片過(guò)程中首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓(外延片)，晶圓所需的材料源(碳化硅SiC)和各種高純的氣體如氫氣H2或氬氣Ar等惰性氣體作為載體之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圓做好。接下來(lái)是對(duì)LED-PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，并對(duì)LED毛片進(jìn)行減薄，劃片。然后對(duì)毛片進(jìn)行測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED晶粒。具體的工藝做法，不作詳細(xì)的說(shuō)明。  S<#>g s4  
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下面簡(jiǎn)單介紹一下LED芯片生產(chǎn)流程圖： d]{wZ#x  
總的來(lái)說(shuō)，LED制作流程分為兩大部分： 
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首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓，這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。 r"sK@  
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MOCVD是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過(guò)控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類(lèi)比例，從而控制鍍膜成分、晶相等質(zhì)量。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備。 i
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然后是對(duì)LED PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對(duì)LED毛片進(jìn)行劃片、測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會(huì)導(dǎo)致蒸鍍出來(lái)的金屬層（指蝕刻后的電極）會(huì)有脫落，金屬層外觀(guān)變色，金泡等異常。 W/DSj 泰顺县| 齐河县| 博客| 英超| 修水县| 永丰县| 兰坪| 灵石县| 丰城市| 雅安市| 光泽县| 新建县| 安乡县| 宜昌市| 古蔺县| 长兴县| 株洲县| 嘉义市| 波密县| 浦江县| 吉首市| 天峻县| 方城县| 柘荣县| 克拉玛依市| 随州市| 高唐县| 肃宁县| 文登市| 来安县| 沙洋县| 彭阳县| 新乡县| 芒康县| 永兴县| 浦江县| 广汉市| 南汇区| 苗栗市| 秦皇岛市| 汤阴县|