隨著技術(shù)的發(fā)展，LED的效率有了非常大的進步。在不久的未來LED會代替現(xiàn)有的照明燈泡。近幾年人們制造LED晶粒/芯片過程中首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓(外延片)，晶圓所需的材料源(碳化硅SiC)和各種高純的氣體如氫氣H2或氬氣Ar等惰性氣體作為載體之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圓做好。接下來是對LED-PN結(jié)的兩個電極進行加工，并對LED毛片進行減薄，劃片。然后對毛片進行測試和分選，就可以得到所需的LED晶粒。具體的工藝做法，不作詳細的說明。 dX[I :,z*  
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下面簡單介紹一下LED芯片生產(chǎn)流程圖： k+QGvgP[4@  
總的來說，LED制作流程分為兩大部分： `z!AjAT-G  
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首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓，這個過程主要是在金屬有機化學(xué)氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。 ~&?([}A  
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MOCVD是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等質(zhì)量。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備。
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