《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)。全書共分十章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)。 [kC-g
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《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》文字?jǐn)⑹錾狭η笞龅缴钊霚\出，內(nèi)容上深度和寬度相結(jié)合，理論和實(shí)踐相結(jié)合，以半導(dǎo)體薄膜技術(shù)為重點(diǎn)，結(jié)合半導(dǎo)體材料和器件的性能介紹，同時(shí)還介紹了半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理領(lǐng)域的新概念、新進(jìn)展、新成果和新技術(shù)。《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》具有內(nèi)容翔實(shí)、概念清楚、圖文并茂的特點(diǎn)。 eb:
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