真正進行透明導電薄膜材料的研究工作還是19世紀末，當時是在光電導的材料上獲得很薄的金屬薄膜。經歷一段很長時間后的第二次世界大戰(zhàn)期間，關于透明導電材料的研究才進入一個新的時期，于是開發(fā)了由寬禁帶的n型簡并半導體SnO2材料，主要應用于飛機的除冰窗戶玻璃。在1950年，第二種透明半導體氧化物In2O3首次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導電薄膜方面得到了普遍的應用，并具有廣闊的應用前景。 ??摻錫氧化銦（即Indium Tin Oxide, 簡稱ITO）材料是一種n型半導體材料，由于具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和化學穩(wěn)定性，因此它是液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、電致發(fā)光顯示器（ EL/OLED）、觸摸屏（Touch Panel）、太陽能電池以及其它電子儀表的透明電極最常用的材料。 +xNq8yS  
1. ITO薄膜的基本性能 ?? *7),v+ET  
（1）、ITO薄膜的基本性能 ??ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微觀結構，In2O3里摻入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因為In2O3中的In元素是三價，形成SnO2時將貢獻一個電子到導帶上，同時在一定的缺氧狀態(tài)下產生氧空穴，形成1020至1021cm-3的載流子濃度和10至30cm2/vs的遷移率。這個機理提供了在10-4Ω.cm數(shù)量級的低薄膜電阻率，所以ITO薄膜具有半導體的導電性能。 ?? +>:[irf  
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ITO是一種寬能帶薄膜材料，其帶隙為3.5-4.3ev。紫外光區(qū)產生禁帶的勵起吸收閾值為3.75ev，相當于330nm的波長，因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。同時近紅外區(qū)由于載流子的等離子體振動現(xiàn)象而產生反射，所以近紅外區(qū)ITO薄膜的光透過率也是很低的，但可見光區(qū)ITO薄膜的透過率非常好。 ?? KD'}9{F,  
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由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化學性能，ITO薄膜具有良好的導電性和可見光區(qū)較高的光透過率。 ?? TtgsM}Fm  
（2）.影響ITO薄膜導電性能的幾個因素 ?? ;s5JYR  
ITO薄膜的面電阻（R□）、膜厚（d）和電阻率（ρ）三者之間是相互關聯(lián)的，下面給出了這三者之間的計算公式。即?? f_IsY+@  
R□=ρ/ d （1） ?? h-\+# .YP  
由公式（1）可以看出，為了獲得不同面電阻（R□）的ITO薄膜，實際上就是要獲得不同的膜厚和電阻率。一般來講，制備ITO薄膜時要得到不同的膜層厚度比較容易，可以通過調節(jié)薄膜沉積時的沉積速率和沉積的時間來制取所需要膜層的厚度，并通過相應的工藝方法和手段能進行精確的膜層厚度和均勻性控制。?? Q>uJ:[x+  
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而ITO薄膜的電阻率（ρ）的大小則是ITO薄膜制備工藝的關鍵，電阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一項重要指標。公式（2）給出了影響薄膜電阻率（ρ）的幾種主要因素 ρ=m*/ne2τ (2) ?? 3&B- w  
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式（2）中，n、τ分別表示載流子濃度和載流子遷移率。當n、τ越大，薄膜的電阻率（ρ）就越小，反之亦然。而載流子濃度（n）與ITO薄膜材料的組成有關，即組成ITO薄膜本身的錫含量和氧含量有關，為了得到較高的載流子濃度（n）可以通過調節(jié)ITO沉積材料的錫含量和氧含量來實現(xiàn);而載流子遷移率（τ）則與ITO薄膜的結晶狀態(tài)、晶體結構和薄膜的缺陷密度有關，為了得到較高的載流子遷移率（τ）可以合理的調節(jié)薄膜沉積時的沉積溫度、濺射電壓和成膜的條件等因素。 ?? +KIFLuL  
E-#C#B  
所以從ITO薄膜的制備工藝上來講，ITO薄膜的電阻率不僅與ITO薄膜材料的組成(包括錫含量和氧含量)有關，同時與制備ITO薄膜時的工藝條件（包括沉積時的基片溫度、濺射電壓等）有關。有大量的科技文獻和實驗分析了ITO薄膜的電阻率與ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制備時的基片溫度等工藝條件之間的關系，因此本文中不再熬述。 m4G))||9Q  
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