真正進行透明導(dǎo)電薄膜材料的研究工作還是19世紀(jì)末，當(dāng)時是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。經(jīng)歷一段很長時間后的第二次世界大戰(zhàn)期間，關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究才進入一個新的時期，于是開發(fā)了由寬禁帶的n型簡并半導(dǎo)體SnO2材料，主要應(yīng)用于飛機的除冰窗戶玻璃。在1950年，第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3首次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。 ??摻錫氧化銦（即Indium Tin Oxide, 簡稱ITO）材料是一種n型半導(dǎo)體材料，由于具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此它是液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、電致發(fā)光顯示器（ EL/OLED）、觸摸屏（Touch Panel）、太陽能電池以及其它電子儀表的透明電極最常用的材料。 fj['M6+wd  
1. ITO薄膜的基本性能 ?? 
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（1）、ITO薄膜的基本性能 ??ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微觀結(jié)構(gòu)，In2O3里摻入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因為In2O3中的In元素是三價，形成SnO2時將貢獻一個電子到導(dǎo)帶上，同時在一定的缺氧狀態(tài)下產(chǎn)生氧空穴，形成1020至1021cm-3的載流子濃度和10至30cm2/vs的遷移率。這個機理提供了在10-4Ω.cm數(shù)量級的低薄膜電阻率，所以ITO薄膜具有半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。 ?? 8+7*> FD)1  
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