真空蒸鍍就是置待鍍材料和被鍍基板于真空室內(nèi)，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華，并飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。在真空條件下成膜可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過(guò)程中于分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過(guò)程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對(duì)于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場(chǎng)合，則要求壓力更低。 ,]F,Uu_H7  
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· 能在金屬、半導(dǎo)體、絕緣體甚至塑料、紙張、織物表面上沉積金屬、半導(dǎo)體、絕緣體、不同成分比的合金、化合物及部分有基聚合物等的薄膜，其適用范圍之廣是其它方法無(wú)法與之比擬的； -$ls(oot  
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· 可以不同的沉積速率、不同的基板溫度和不同的蒸氣分子入射角蒸鍍成膜，因而可得到不同顯微結(jié)構(gòu)和結(jié)晶形態(tài)（單晶、多晶或非晶等）的薄膜； W:2( .?  
6@5+m 0`u3  
· 薄膜的純度很高； `Y$4 H,8L  
/{g>nzP  
· 易于在線檢測(cè)和控制薄膜的厚度與成分。厚度控制精度最高可達(dá)單分子層量級(jí)； `4J$Et%S  
F v2-(  
· 排出污染物很少且基本上沒(méi)有，無(wú)"三廢"公害； h7Kzq{$