麻省理工學院(MIT)的研究人員們宣稱已經(jīng)開發(fā)出了一種新技術(shù)，能將用于芯片圖案蝕刻的高速電子束光刻的分辨率尺度推進到9nm(納米)，遠遠超出人們此前的預想。MIT表示，電子束光刻工具之前最小的形體尺寸是25nm，而他們的新發(fā)現(xiàn)將會大大延長電子束光刻技術(shù)在半導體制造業(yè)中的壽命。 )TkXdA?.  
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MIT透露，他們的這次突破主要得益于兩點，一是使用更薄的絕緣層來盡量避免電子散射，二是使用特殊材料對接收電子較多的區(qū)域進行了加固。 T`Qg+Q$  
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多年來，半導體廠商一直在努力用極紫外光刻(EUV)取代傳統(tǒng)的光學蝕刻技術(shù)，但是EUV的批量投產(chǎn)一再推遲，現(xiàn)在最樂觀的預計是等到2012-13年的22nm半世代節(jié)點工藝。即便如此，EUV也面臨著很多技術(shù)難題，短期內(nèi)難以普及。