非晶態(tài)碲鎘汞薄膜的射頻磁控濺射生長及其結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性摘要：在玻璃襯底上用射頻磁控濺射技術(shù)進行了非晶態(tài)碲鎘汞( a2Hg Cd Te , a2MCT)薄膜的低溫生長. 采用 X 射線衍射 Ub$n |xn  
( XRD)和原子力顯微(AFM)技術(shù)對所生長的薄膜進行分析研究,所生長的非晶態(tài) Hg CdTe 薄膜表面平整,沒有晶粒出現(xiàn),獲得了射頻磁控濺射生長非晶態(tài) Hg CdTe 薄膜的 “生長窗口” .采用傅里葉紅外透射光譜分析技術(shù)對非晶態(tài) Hg Cd Te 薄膜進行了光學(xué)性能研究,在 110～210μm 范圍內(nèi)研究了薄膜的透射譜線,獲得了薄膜的吸收系數(shù)(～8 ×104cm - 1) ,研究了其光學(xué)帶隙(約 0183eV)和吸收邊附近的 3 個吸收區(qū)域. 2)0b2QbQ
 
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關(guān)鍵詞：非晶態(tài)碲鎘汞；射頻磁控濺射；光學(xué)帶隙