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[下載]退火對射頻磁控濺射氧化鋅薄膜性能的影響 [復(fù)制鏈接]

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只看樓主正序閱讀樓主發(fā)表于: 2011-12-18

關(guān)鍵詞：磁控濺射射頻氧化鋅薄膜

退火對射頻磁控濺射氧化鋅薄膜性能的影響摘要：采用射頻磁控濺射技術(shù)在 SiO2 / Si 上淀積高 c軸取向的 ZnO 薄膜 ,在氧氣和氬氣的混合氣氛、不同溫度(400～900 ℃)下進(jìn)行快速熱退火處理。利用 X2射線衍射(XRD) 、原子力顯微鏡(AFM) 、掃描電鏡( SEM)和透射電鏡( TEM)對薄膜結(jié)構(gòu)、形貌與界面狀態(tài)性能進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明 , ZnO 薄膜的晶粒尺寸隨著退火溫度的升高而增大 ,衍射峰強(qiáng)度增強(qiáng) ,峰位隨之偏移; SEM 分析顯示薄膜呈柱狀生長 ,表現(xiàn)出較好的 c軸取向性; TEM分析表明 ZnO 與下電極 Pt 是呈共格生長 ,晶格匹配很好。


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