在利用太陽能進(jìn)行水分解的過程中，用于光吸收的材料（如硅、砷化鎵）很容易受到水溶液的腐蝕而喪失原有功能。加州理工學(xué)院人工光合作用聯(lián)合中心（JCAP）的研究人員近日宣布開發(fā)出一種方法，能夠保護用于光吸收的半導(dǎo)體材料。 l9u!aD  
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研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化鎵表面形成一層TiO2膜。其關(guān)鍵在于，這種TiO2是能夠漏電的，這種“漏電TiO2”膜的厚度為4~143納米之間，它能夠在保持透明的前提下，保護半導(dǎo)體免受水溶液的腐蝕。 s1=G;  
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在TiO2的表層，研究人員沉積了一些100納米厚的鎳氧化物的“島”，使其成為水分解過程的催化劑。 t9:0TBt-[  
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盡管該工作對于水分解反應(yīng)中的氧化過程適用，但研究人員強調(diào)，尚無法得知是否能夠使用較為廉價、簡單的應(yīng)用技術(shù)，如噴涂等方法將TiO2覆蓋于半導(dǎo)體表面。而且，該團隊的實驗只在連續(xù)光照下進(jìn)行了幾百個小時，無法得知更長時間下的保護效果。 dg"3rs /?A  
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研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化鎵表面形成一層能夠漏電的TiO2膜，這種“漏電TiO2”膜的厚度為4~143納米之間，它能夠在保持透明的前提下，保護半導(dǎo)體免受水溶液的腐蝕。