2014年8月底，三星電子宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達64GB。一年多后，三星將這一容量翻了一番，開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級服務(wù)器市場的RDIMM類型條子，使用了多達144顆DDR4內(nèi)芯片，每一顆容量1GB，然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起，總計36個組，分布在內(nèi)存條兩側(cè)。 D\rmaF+  
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制造工藝是三星最先進的20nm，起步頻率2400MHz，接下來將逐步提升到2667MHz、3200MHz。 70iH0j)  
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另外，三星還會把TSV硅穿孔技術(shù)應(yīng)用到HBM高帶寬內(nèi)存中。