日本東曹公司通過(guò)向透明導(dǎo)電薄膜用的氧化鋅摻雜鋁，開(kāi)發(fā)出"ZAO"靶材，并已開(kāi)始供應(yīng)樣品。該材料有望替代ITO（氧化銦錫）靶材，用于液晶顯示器TFT（薄膜晶體管）的像素電極、TN（扭曲向列）液晶和太陽(yáng)能電池。已制成可用于TFT的膜厚為100nm、電阻率為10－4Ωcm的ZAO透明導(dǎo)電薄膜。 lT]dj9l  
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該公司在80年代后期就開(kāi)發(fā)了摻雜鋁的氧化鋅靶材，并獲取專利。但是，由于不能獲得低于ITO的電阻率，且當(dāng)時(shí)銦的供應(yīng)比較充足，因此該技術(shù)一直沒(méi)有實(shí)際應(yīng)用。直到2003年以后，銦價(jià)上漲，市場(chǎng)迫切需要ITO替代材料，才促使該公司對(duì)原來(lái)的技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)，開(kāi)發(fā)出ZAO靶材。該技術(shù)可提供不用更換現(xiàn)有LCD生產(chǎn)線設(shè)備就能使用的材料。 .7GAGMNS  
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