1.3μm波段InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器性能研究
利用氣態(tài)源分子束外延技術(shù)在GaAs襯底上生長(zhǎng)InAs量子點(diǎn)材料,研制出激射波長(zhǎng)為1.3 μm波段由5層量子點(diǎn)組成的3 mm腔長(zhǎng)、3 μm脊條寬度的InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器。
為研究溫度變化對(duì)器件功率輸出性能的影響,測(cè)量了不同溫度(10~50 ℃)下的激光器的I-P曲線(xiàn),如圖5所示。 ![]() 對(duì)不同溫度下的I-P曲線(xiàn)進(jìn)行分析,可以得出:激光器的最高工作溫度為50 ℃;隨溫度升高,激光器的最大輸出功率降低,從36.6 mW下降到3.9 mW,同時(shí)器件斜效率減小,激光器性能迅速下降。這是因?yàn)闇囟壬邥r(shí)填充介質(zhì)損耗增加,而且載流子散射加劇,使得能夠轉(zhuǎn)化為光子的電子-空穴對(duì)的數(shù)目減少,基態(tài)強(qiáng)度變小,從而光增益抵消更多的損耗,凈增益變小,性能下降。 特征溫度T0 反映的是激光器閾值電流密度的溫度穩(wěn)定性,理論上。但是,由實(shí)驗(yàn)測(cè)得的特征溫度與理論值相比還有很大差距。閾值電流密度Jth 與熱沉溫度T 的變化滿(mǎn)足[13]: 其中,J0 是溫度為0 K時(shí)的閾值電流密度,T0 為器件的特征溫度。可以看出,激光器的閾值電流密度隨溫度的變化呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系,即隨溫度升高,閾值電流密度指數(shù)上升,使得器件性能下降。量子點(diǎn)激光器的閾值電流密度隨溫度的變化關(guān)系,如圖6所示。 ![]() 利用式(1)和式(2)線(xiàn)性擬合出激光器的特征溫度T0 為40 K,J0 為0.4 A/cm2。可以說(shuō),特征溫度的高低能夠直接反映激光器中載流子受溫度散射的強(qiáng)弱。提高特征溫度,就要加強(qiáng)對(duì)載流子的限制。 2.3 電壓輸出特性 量子點(diǎn)激光器的電壓輸出性能與激光器工作溫度密切相關(guān)。因?yàn)闇囟鹊淖兓瘯?huì)使有源層內(nèi)載流子濃度、遷移率以及填充介質(zhì)的導(dǎo)電性發(fā)生變化。為探究溫度變化對(duì)激光器電壓輸出性能的影響,測(cè)量了不同溫度(10~50 ℃)下激光器的I-V曲線(xiàn),如圖7所示。 ![]() |

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