1.3μm波段InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器性能研究
利用氣態(tài)源分子束外延技術(shù)在GaAs襯底上生長(zhǎng)InAs量子點(diǎn)材料，研制出激射波長(zhǎng)為1.3 μm波段由5層量子點(diǎn)組成的3 mm腔長(zhǎng)、3 μm脊條寬度的InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器。
 [3]Li S G,Gong Q,Cao C F,Wang X Z,et al.Measurements of I-V Characteristics in InAs/InP Quantum Dot Laser Diode.Journal of Modern Optics,2012,59(19):1695-1699. [4] 楊文華,王海龍,王兆翔等.基于QD-SOA波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換特性的轉(zhuǎn)換效率研究.光學(xué)學(xué)報(bào),2017,37(04):16. [5] 王兆翔,王海龍,楊文華等.基于QD-SOA-MZI結(jié)構(gòu)的全光邏輯的性能優(yōu)化.通信技術(shù),2016,49(06):782-787. [6] 高金金,嚴(yán)進(jìn)一,柳慶博等.大范圍連續(xù)調(diào)諧的InAs/InP(100)外腔量子點(diǎn)激光器.光電子激光,2016,27(09):903-907. [7] 趙旺鵬,王海龍,龔謙等.可調(diào)諧雙波長(zhǎng)半導(dǎo)體外腔激光器性能研究.光電子激光,2016,27(07):716-721. [8] YUE Li,GONG Qian,YAN Jin-yi,et al.High Intensity Single-Mode Peak Observed in the Lasering Spectrum of InAs/GaAs Quantum Dot Laser.Chin. Phys. Lett.,2012,30(02):024209. [9] Liu H Y,Wang T,Jiang Q,et al.Long-wavelength InAs/GaAs Quantum-dot Laser Diode Monolithically Grown on Ge Substrate.Nature Photonics,2011(05):416-419. [10]Li S G,GONG Q,Lao Y F,et al.Room Temperature Continuous Wave Operation of InAs/InP(100) Quantum Dot Lasers Grown by Gas-source Molecular-beam Epitaxy.Appl. Phys. Lett.,2008,93(11):2564. [11]YANG H D,GONG Q,Li S G,et al.InAs/GaAs Quantum Dot Lasers Grown by Gas-source Molecular-beam Epitaxy.Journal of Crystal Growth,2010,312(23):3451-3454. [12]龔謙,曹春芳,嚴(yán)進(jìn)一等.室溫連續(xù)工作Ge基InAs量子點(diǎn)激光器.第十二屆全國(guó)硅基光電子材料及器件研討會(huì),2017. [13]YUE Li,GONG Qian,CAO Chun-fang,et al.High-performance InAs/GaAs Quantum Dot Laser with Dot Lasers Grown at 425℃.Chinese Optics Letters.,2013,11(06):39-42. [14]Ma CH,Wang H L,Zhou Y,et al.The I-V Characteristics ofInAs/GaAsQD Laser.Physica B (Amsterdam,Neth.),2011(406):3636-3639. |
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