隨溫度的升高，曲線往左移動(dòng)，激光器的開啟電壓和微分電阻減小。因?yàn)闇囟茸兓瘯?huì)引起填充介質(zhì)中晶格振動(dòng)散射和部分電離雜質(zhì)的散射，使得載流子的遷移率減小，降低填充介質(zhì)的導(dǎo)電性。而溫度升高又會(huì)使介質(zhì)的帶隙寬度變小，勢(shì)壘降低，相同情況下就會(huì)有更多的載流子穿越過低勢(shì)壘，又使其導(dǎo)電性能大大提升。PN結(jié)勢(shì)壘的降低，最終導(dǎo)致開啟電壓和微分電阻的減小。

為進(jìn)一步研究溫度對(duì)I-V特性的影響，對(duì)激光器的電壓溫度系數(shù)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)計(jì)算和擬合。由于溫度與正向電壓存在線性關(guān)系[14]，在不同的固定電流下，測(cè)試并記錄了不同溫度下激光器正向電壓的變化值，如圖8所示。 

對(duì)不同溫度下的電壓值進(jìn)行線性擬合，得到了固定電流下的激光器的電壓溫度系數(shù)。隨固定電流的增加（每隔60 mA），從-3.22 mV/K逐漸減小到-3.86 mV/K，說明隨著固定電流的增加，器件電壓降的趨勢(shì)更加明顯。此外，可以擬合得出固定電流的自然對(duì)數(shù)值lnI 和電壓溫度系數(shù)也滿足線性關(guān)系，如圖9所示。 

3 結(jié)語

采用氣態(tài)源分子束外延設(shè)備在GaAs襯底上研制出激射波長(zhǎng)為1.3 μm波段的InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器，在CW模式下，研究了激光器的光譜性能和輸出性能，其中激光器的閾值電流為91 mA，相應(yīng)的閾值電流密度為1 011.1 A/cm2，激光輸出功率斜效率為115 mW/A，最高輸出功率達(dá)到30 mW。在溫度范圍（10～50 ℃）內(nèi)，測(cè)得激光器的特征溫度為40 K。另外，研究了在改變注入電流和改變激光器的工作溫度條件下器件激射波長(zhǎng)的調(diào)諧特性。依據(jù)本文測(cè)試結(jié)果的反饋，為以后成功研制單片集成1.3 μm波段Si基量子點(diǎn)激光器奠定了基礎(chǔ)。

參考文獻(xiàn)：

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[2] 許海鑫,王海龍,嚴(yán)進(jìn)一等.InAs/GaAs量子點(diǎn)激光器的增益和線寬展寬因子.發(fā)光學(xué)報(bào),2015,36(05):567-571.