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    [討論]MgF2的鍍膜參數(shù)討論 [復制鏈接]

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    離線yzhuang
     
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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2018-10-10
    一般情況下，如果是一個超寬帶增透膜，就增透效果來說，最好的低折射率材料MgF2，但是關于MgF2的鍍膜，溫度基本上要300攝氏度左右最佳，參考資料是不能加離子源，300攝氏度鍍膜抽真空時間會變得較長，且如果高折射率材料是Ta2O5的話，對于使用電子槍蒸發(fā)而言，必須進行離子源輔助才會得到基本無吸收薄膜，如果高折射率材料是Ti3O5的話，300攝氏度可能會有結晶，吸收也有可能會增加。這就跟MgF2的鍍膜產生了沖突，我曾經進行過加APS源嘗試，但無論怎么改變源的參數(shù)，還是避免不了吸收，我想看看大家是怎么做的，希望能得到一個最佳的做法。
     
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    離線ouyuu
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    只看該作者 1樓 發(fā)表于: 2018-10-11
    可以試下離子源（Ar+O2)， *d/]-JN,K  
    離子源先只用Ar，等鍍膜到了一定厚度（比如說1nm）再用部分的O2。 8RR6f98FF  
    離線875192871
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    只看該作者 2樓 發(fā)表于: 2018-10-12
    我們公司鍍膜也有吸收  把鍍膜后產品烘烤下 吸收會減弱很多  目前是這樣做的
    離線光跡
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    只看該作者 3樓 發(fā)表于: 2018-10-23
    用鈦酸鑭搭配氟化鎂
    離線ouyuu
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    只看該作者 4樓 發(fā)表于: 2018-10-24
    如果你只有APS源的話，能量最高也就200V了， :q4 Mnr  
    其實并不適用TiO2。 Bv |Z)G%RR  
    換種材料吧
    離線紅塵盡碎
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    只看該作者 5樓 發(fā)表于: 2019-05-12
    學習中
    離線17873333033
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    只看該作者 6樓 發(fā)表于: 2020-03-16
    H4-MGF2這兩種藥材可以做，或者用H4-SIO2這兩種也可以，你加我微信詳細的工藝溝通一下：17873333033
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