主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： Ys@G0}\3G • 定義MMI耦合器的材料； *&~wl(+O= • 定義布局設(shè)定； Rge \8H/z • 創(chuàng)建一個MMI耦合器； jT1^oXn@ • 插入輸入面； "UTAh6[3oD • 運行模擬； #lO~n. +P • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 lW3wmSWn% L<_zQ 1. 定義MMI耦合器的材料 Vv3:x1S 為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作： d^^EfWU 1) 通過File-New打開“初始性能對話框（Initial Properties）“ R6-Z]H u Q7XlFjzcm 圖1.初始性能對話框
jt6,id)& 2) 點擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計窗口（Profile Designer）” _ A,mY6 * D~7L~Q] xI 圖2.輪廓設(shè)計窗口
::8c pUc`f 3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 !Yu|au
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K:2 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
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M;F` 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： ;B6m;[M+ − Name : Guide ?qR11A};tG − Refractive Index (Re) : 3.3 l[M?"<Ot; − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 >PoVK{&y 1$1P9x@H 圖4.創(chuàng)建Guide材料
dIOi P\^ 5) 重復(fù)步驟3）和4），創(chuàng)建第二種電解質(zhì)材料： f/{ *v4! − Name : Cladding 6$LQO) ,, − Refractive Index (Re) : 3.27 c,_??8 − 點擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口 ) @a_|q@V ZA.i\
;2 圖5.左圖為創(chuàng)建Cladding材料，右圖為材料創(chuàng)建成功后電解質(zhì)材料標(biāo)簽下的顯示 j=n<s</V
6) 雙擊Profiles標(biāo)簽下的Channel-Channel1，進(jìn)入通道編輯窗口，構(gòu)建通道： |7% #z~rT − Name ： Guide_Channel i'`[dwfS − 2D profile definition: Guide dI)
9@UL − 點擊“Store”保存創(chuàng)建的通道并關(guān)閉通道編輯窗口，關(guān)閉Profile Designer窗口 ,'>O#kD
&@/25Y2 圖6.構(gòu)建通道
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